有机发光二极管又称为有机电激光显示（Organic Light-Emitting Diode，OLED）。OLED显示技术的特性是具有自发光，由非常薄的涂层和玻璃基板组成的有机材料在电流通过时就会发光。OLED显示屏幕可视角度较大，具有省电功能。

磁控溅射方法制备的三氧化钨缓冲层研制的OLED器件：
当工作电压达到20V时，IWO-OLED（简称IWO）的亮度为8791cd/m2，IWO/WO₃-OLED（简称IWO/WO₃）亮度为16690cd/m2；当电压碱至19V时，IWO/WO₃器件的功率效率达到最大值1.581m/W。相比之下，对于IWO器件，当电流密度增大的时候，发光效率逐渐上升，当电流密度达到181.9mA/cm2的时候，发光效率达到最大值为4.83cd/A；对于IWO/WO₃器件，当工作电压为19V，发光效率达到最大值9.56cd/A，其数值约为前者的两倍。总之，IWO/WO₃-OLED无论在亮度，发光效率以及功率效率上都有显著的改善。

脉冲等离子体沉积方法制备的三氧化钨缓冲层研制的OLED器件：
在工作电压20V时，IWO的亮度为8791cd/m2， IWO/WO₃亮度为17360cd/m2，其亮度约为无三氧化钨缓冲层器件的两倍。可得加入三氧化钨缓冲层确实有效提高了OLED器件发光亮度。然而对于功率效率而言IWO/WO₃器件却并没有因为三氧化钨的插入而得到有效改善。发光效率上，IWO/WO₃-OLED器件明显不如IWO-OLED。分析可知，OLED器件性能与缓冲层(buffer layer)厚度均匀性以及表面平整性有着密切的联系。

利用XRD和AFM等分析表征了三氧化钨薄膜的晶格结构和表面形貌，实验发现所制备的三氧化钨为非晶结构，具有相对平整的表面。利用两种方法制备的三氧化钨薄膜作为OLED阳电极的功函数修饰层，发现其对OLED起到缓冲作用。
 

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自从涂层硬质合金技术发展以来，涂层的类型也产生了多样化，较为突出的如单层多元复合涂层、多层涂层、梯度涂层、纳米涂层、超硬涂层以及软涂层等等。

1.单层以及多元复合涂层

目前，氮化钛（TiN）以及碳化钛（TiC）时出现较早并且使用较为广泛的两种单层涂层，其具有硬度大、耐磨损性能优良等优点。但是其也有一个无法避免的问题就是基体与涂层之间存在着较大的弹性模量以及热膨胀系数的差距，会在一定程度上削弱两者的结合力以及残余应力。因此，在此基础上添加各种不同元素使之形成多元涂层材料，从而提高涂层硬质合金的各项综合性能。如今在生产实践中较为多见的有Ti（C,N）、TiAlN几种多元复合涂层。此外还有一些其他元素的加入，会在不同方面提高涂层硬质合金的性能，如硅（Si）元素可提高材料的硬度以及防止化学扩散作用，锆（Zr）、硼（B）、钒（V）以及铪（Hf）可显著改善材料的耐磨损性能，铬（Cr）元素的加入可提高材料的抗氧化性能。

以Ti（C,N）涂层为例，其同时具有TiC和TiN两种涂层的优点，应用在硬质合金刀具上后可显著改善硬度和韧性，阻止内部裂纹扩散，减少崩刃的情况，对于涂层本身减少了内应力，提高了涂层与基体间的结合力。根据车削实验结果表明，对比单层涂层的TiC、TiN、Al₂O₃，复合涂层Ti（C,N）具有更好的抗刀面磨损性能以及抗月牙洼磨损性能更加适用于硬质合金刀具对普通钢、合金钢、不锈钢以及铸铁等材料的加工，其切削效率可得到大幅度提高。

而TiAlN复合涂层材料具有很好的热硬性以及抗氧化能力被广泛应用于高速硬质合金刀具以及金属陶瓷刀具涂层材料。目前主要的采用技术是阴极电弧离子镀-物理气相沉积（Cathodic Arc Ion Plating – Physical Vapor Deposition）。其具有组织结构致密度高、微观硬度高（增加35%-76%）、韧性高的优点，适合于高速钢、合金钢等高性能材料的高速铣削，且其使用寿命相比TiN单元单层涂层提高了3-4倍。

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早年制取钨粉的经典方法是以氢气为还原剂将三氧化钨粉末还原成金属钨粉，这个方法具有易控制纯度高的钨粉和钨粉粒度等的特点，过去在世界上获得广泛采用，如今渐被蓝钨氢还原所取代。

钨氧化物各还原反应均为吸热反应，温度升高对还原反应有利。低价氧化钨比高价氧化钨更具有较高的稳定性，因此，工业上采用的两段还原法中的第二次还原温度必须高于第一次还原温度。在钨和氧系中，存在三氧化钨WO3、氧化钨WO 2.9 、氧化钨WO 2.72，氧化钨WO 2等钨氧化物。由三氧化钨制取钨粉的总反应通常是逐级进行的，即WO3(黄)、WO 2.90 (蓝) 、WO 2.72 (紫)、WO2(褐)、W(灰)。

三氧化钨氢还原法又称为黄钨工艺，工业生产中，最受欢迎的是连续逆氢还原方式。一般采用两段还原法来制取中等或中偏细颗粒且粒度较为均匀的钨粉，即第一次由WO3制取WO2，第二次由WO2制取W 。在制取粗颗粒金属钨粉时，则采用一段还原法，即WO3 制取W 。

细钨粉工艺的确定原则：
(1)采用较低的还原温度；
(2)沿炉管有较平稳的温度梯度；
(3)较缓慢的推舟速度；
(4)较小的装舟量或较薄的料层；
(5)较大的氢气流量和较小的氢气湿度；
(6)用颗粒较细的WO3 原料。

粗钨粉工艺的确定原则：
(1)采用高的还原温度；
(2)沿炉管有较大的温度梯度；
(3)较快的推舟速度；
(4)较大的装舟量或较厚的装料层；
(5)较小的氢气流量和较大的氢气湿度。

三氧化钨氢还原生产的钨粉主要有供硬质合金用钨粉和供钨材加工用的钨粉，这两类钨粉的生产工艺制度也是不同的。

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涂层硬质合金在原有的化学气相沉积法（CVD）以及物理气相沉积法（PVD）的基础上加以改进，发展出了一些新的涂层技术。

5.等离子体化学气相沉积法（Plasma Chemical Vapor Deposition， PCVD）

等离子体化学气相沉积法（Plasma Chemical Vapor Deposition， PCVD）是通过利用等离子体中的带电粒子的动能去激发气相化学反应的。其基本原理就是在金属基材表面上沉积一层氮化钛（TiN）、碳氮化钛（TiCN）、氮铝化钛（TiAlN）、氮硅化钛（TiSiN）等具有高硬度和高耐磨性的硬质膜或超硬膜。PCVD法克服了传统化学气相沉积法（Chemical Vapor Deposition，CVD）沉积温度高的缺点，可使得沉积温度降至500-600℃，并在一定程度上减少了成膜的方向性，且涂层较为均匀。如今最新的PACVD法涂覆温度已可降至180-200℃，且焊接性能良好，焊接部位不受任何影响，所以其较为适合于涂覆在焊接用硬质合金刀具以及模具的表面硬化处理。有实验数据表明采用PCVD法涂层的硬质合金钻头与普通的高速钢钻头相比，加工钢材时其工作效率得到了明显的提升，各项综合性能（耐磨性以及耐腐蚀性）大幅度得到提高，且使用寿命延长了近十倍。

6.真空阴极电弧沉积法（Vacuum Cathodic Arc Deposition， VCAD）

真空阴极电弧沉积法（Vacuum Cathodic Arc Deposition， VCAD）是通过利用阴极电弧将靶材蒸发离解，并在负偏压作用下沉积的方法，其具有沉积温度低、沉积速率快、沉积覆盖面积大、离子能量高、离化率高、膜层与基材结合力好、操作方便、设备简单等优点，可广泛运用于一些超硬氮化钛（TiN）、碳化钛（TiC）膜层的沉积。有实验研究在原真空阴极电弧沉积超硬TiN薄膜优化工艺的基础上，用钛铝合金靶材代替钛靶材沉积性能更为优异的（Ti，Al）N薄膜，这对推动（Ti，Al）N薄膜工业化生产有着重要的研究意义。此外，VCAD法除了应用在一些高质量的金属薄膜外，还可适用于Ta-C、光学薄膜、透明导电氧化物薄膜、氮化物多层膜、纳米复合膜、MAX相等多种膜层的沉积。

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中国钨业存在的主要问题有产能过剩、产业结构性矛盾突出、技术创新能力不足、高端产品开发能力不足、高端产品开发能力弱、投入产出率不高等问题。另外，生产成本上升、国际竞争力不强，行业发展中的不平衡、不协调、不可持续的深层次矛盾和问题凸显。加之，目前环境保护的意识见长，中国依靠消耗资源、增加产量、牺牲环境的发展模式必须要改变，才能跟得上国际大舞台，中国钨业才能更好的发展。以下具体分析中国钨业发展存在的主要问题：
1.低水平重复建设，产能过剩矛盾突出
据统计，2014年底，我国仲钨酸铵生产能力21.4万吨，钨粉生产能力7.62万吨，硬质合金生产能力4.11万吨，钨丝生产能力350亿米，钨铁生产能力3.00万吨，产能利用率分别为41.1%、49.87%、63.75%、63.75%、45.14%和19.00%。
2.产业集中度低，发展质量和效益不高
钨企业“多、散、小、弱”的状况依然没有根本改变，产业集中度低，国际竞争力不强。具统计，2013年，193家钨矿山企业平均年产量不足500吨，年产1000吨以上的钨矿企业只有21家，占产量的50.28%；2014年，硬质合金年产1000吨以上的企业只有3家，占总产量的45.7%，硬质合金行业销售收入220亿，利润不足10亿元。

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