钨业知识

烧结温度对三氧化钨陶瓷致密度影响

详细资料: 分类：钨业知识; 发布于 2014年8月28日星期四 09:41; 点击数：2245

检测烧结温度对三氧化钨陶瓷致密度影响，以压制压力4MPa，保温时间为1h的烧结样品为例进行分析。

测试结果如下表：

烧结温度（℃）	密度（g/cm³）	收缩率（%）
1100	5.540	4.60
1180	6.720	8.60
1200	6.823	3.12
1210	6.825	13.08
1230	6.714	11.20
1240	熔化	熔化

由以上表格中的数据，我们可以容易的看出，随着温度的上升，样品的密度、收缩率也会随着上升。但是当温度上升到一定高度时，相反密度是下降的，下降的幅度较小。而收缩率也相对较高，到达1240℃时样品被熔化，提高烧结温度无论是对固相扩散或溶解-沉淀等都是有利的，但，单纯提高温度不仅浪费能源，而且使材料性能恶化，过高的温度会使二次再结晶，降低材料的强度。可见，为烧结出优质的三氧化钨陶瓷，应将温度控制在1200-1210℃。

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影响三氧化钨烧结因素-粉末粒度

详细资料: 分类：钨业知识; 发布于 2014年8月28日星期四 09:38; 点击数：2081

检测三氧化钨粉末粒度对烧结过程的影响，以压制压力4MPa，烧结温度为1200℃，保温时间为1h的烧结样品为例进行分析。

测试结果如下表：

样品标号	平均粒度（μm）	收缩率（%）	密度（g/cm³）	维氏硬度（Gpa）
1	0.27	13.814	6.870	4.375
2	0.29	13.120	6.823	3.590
3	0.31	13.067	6.787	2.796
4	0.35	4.290	6.698	2.227

由以上表格中的数据，我们可以容易的看出，粉末粒度对样品收缩率、密度及硬度都是有影响的。且节本影响趋势为：粒度越小，则收缩率，密度越大。这是应为细小晶粒的表面活性高，可以降低烧结温度提高致密度和性能；纳米级粉末能出现瞬间液相烧结，增加收缩率提高致密度。而由于致密度的提高，其硬度也相应的大一些。

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三氧化钨基本化学性质

详细资料: 分类：钨业知识; 发布于 2014年8月28日星期四 09:34; 点击数：2251

钨是一种重金属元素，在其化合物中可呈现出+2，+3，+4，+5，+6共计五种价态，也常常出现不同价态共存的情况，三氧化钨是钨的最高氧化物。

由于存在不同程度的氧缺位，使得部分+6价的W离子还原为+5价W离子，形成五、六价混合价态氧化物。一种常用的制备三氧化钨单晶的方法是将三氧化钨粉末置于管中，通过氧气和水蒸气的混合气体，在1073-1173K的范围内生长，在此过程中要严格控制温度梯度的变化。尽管如此，仍然不能保证所得单晶的化学计量比严格满足预定的要求，必须对样品进行组分的测量以确定其成分。在有杂质存在的情况下，三氧化钨晶体的生长从大小，形状甚至晶型都会有很大的变化。对三氧化钨进行五价氧化物的掺杂，可以使钨处于最高价态，在一定条件下，也可以有＋4价的三氧化钨存在。

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三氧化钨基本物理性质

详细资料: 分类：钨业知识; 发布于 2014年8月28日星期四 09:33; 点击数：2397

氧化钨基本物理性质：

1：电学性质。三氧化钨的分子式相当简单，但它的物理性质却十分复杂，三氧化钨呈现n型半导体行为，颜色随氧含量的变化从亮黄色到亮绿色而不同，其电学性质随其结构和氧含量的变化可以分别呈现金属或半导体的行为，掺杂后的三氧化钨电学性质变化更大，并且还受环境气氛所影响。

2：热学性质。三氧化钨可通过一般的电子工艺而获得，高温烧结是其中一个决定性环节。特别是在高温下的热学行为，三氧化钨的熔点达到1473℃，但是在1100℃九开始升华，在330℃时出现单斜晶相与正交相之间的转变，740℃时出现正交相与正方晶相之间的转变，这些相变温度并非十分精确，但三氧化钨具有严重的热滞效应，与其热历史有关。

3：磁学性质。目前，对三氧化钨磁学性质的研究甚少，研究的主要目的是通过有关的磁学测量来澄清相应的电子结构和电输运性质。经研究发现三氧化钨具有Pauli型的顺磁性。

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如何在鱼线上安置渔坠子（二）

详细资料: 分类：钨业知识; 发布于 2014年8月28日星期四 08:44; 点击数：2323

接着用鱼线缠绕渔坠，打结，使渔坠不会上下滑动就可以了。另外，估摸它会不会松弛，如果会，需要重新打结。渔坠需接近鱼钩，但不能直接绑在鱼钩上。

如果你使用的不止一个渔坠，你就必须在鱼在线单独打几个结，这样才能把你的鱼饵放低。当渔坠会滑动时，再打一个结就可以了，不然鱼线可能会断掉。如果你需要再绑几个渔坠，重复上面的步骤就可以了。

最后，如果你已经绑好可你需要的渔坠子，只需把原来拿掉的鱼钩重新绑上就好了。

钨合金渔坠子

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影响制备非多孔氧化钨薄膜因素

详细资料: 分类：钨业知识; 发布于 2014年8月27日星期三 15:40; 点击数：1911

影响制备非多孔氧化钨薄膜因素：

1：乙醇和过聚钨酸酯的比例控制。制备非多孔氧化钨薄膜，是通过获取氧化钨凝胶膜，接着采用甩胶法进行再加工制备而得的，在溶胶-凝胶获取氧化钨凝胶膜的过程中，乙醇是溶剂，过聚钨酸酯是钨的前驱体，乙醇和过聚钨酸酯的比例决定了过聚钨酸酯颗粒在溶胶液中的分布状态，进一步应先颗粒的布朗运动以及胶粒间引力和斥力的平衡，从而影响非多孔氧化钨薄膜的粘度和成膜性能。

2：草酸的添加比例。制备非多孔氧化钨薄膜的过程中，可通过控制过聚钨酸酯/乙醇比例来获得适于涂膜的前驱液，但在热处理过程中，膜层会发生开裂，这是因为在加热过程中，有机物的燃烧会使膜层中W-O、W-C、W-H等化学键发生断裂，导致膜层开裂，在过聚钨酸酯/乙醇混合液中添加草酸，可以防止膜层开裂。

制备非多孔氧化钨薄膜

详细资料: 分类：钨业知识; 发布于 2014年8月27日星期三 15:39; 点击数：1727

非多孔氧化钨薄膜的制备采用甩胶法。根据前驱体溶胶的性质通过匀胶转速，在一定的时间内进行重复匀胶次数。制备获得非多孔氧化钨薄膜。

首先，采用四氯化钨和无水乙醇反应获得氧化钨薄膜所用的涂膜液，在N2的环境下搅拌，加入一定量的冰醋酸，搅拌约4h，冷却获得氧化钨凝胶膜。将获得的氧化钨凝胶膜在室温的环境下静置数小时，待溶剂部分挥发后，随之进行热处理，温度设定在450℃以上，时间为1h，接着采用甩胶法进行再加工，在制备的过程中，匀胶速度一般设定为1600-5000r/min之间，匀胶时间为20-60s，重复甩胶次数1-30次，从而制备获得非多孔氧化钨薄膜。

氧化钨基薄膜应用于光存储方面

详细资料: 分类：钨业知识; 发布于 2014年8月27日星期三 15:38; 点击数：1862

氧化钨的应用十分广泛，该材料的应用也集中在高密度和超高密度的存储材料方面。氧化钨作为一种过渡金属氧化物，具有很强的拉曼散射能力，可用谐振腔探测器来探测这种拉曼位移信号。由于谐振腔探测器的线很窄，若在基片上制备出含有多种过渡金属氧化物的混合膜，则用谐振腔探测器就可一次读出混合膜中所有过渡金属氧化物的拉曼位移信号，这将大大提高光存储密度，最为常见的氧化物薄膜就数氧化钨基薄膜。

有研究显示，氧化钨薄膜在短波长激光的作用下，能快速发生光色变化，其重要特点之一是载噪比高，例如当激光波长为532nm时氧化钨基薄膜的反射率约为93%，其他薄膜的反射率为35%。氧化钨基薄膜响应灵敏，写入速度快，仅需2ns，由此可见，氧化钨基薄膜的短波长一次写入光记录行为在速度和信号清晰度上都优于已有的无机或有机光存储材料。

氧化钨应用于气体灵敏检测

详细资料: 分类：钨业知识; 发布于 2014年8月27日星期三 15:37; 点击数：2007

氧化钨是一种外观呈黄色的斜方晶体，加热时颜色变深，密度7.16，熔点1473℃。不溶于水和酸（除氢氟酸），能缓慢地溶于浓碱溶液。氧化钨具有气体敏感性，用于检测二氧化氮，氨气等有毒气体的检测。已经制备了氧化钨薄膜气敏传感器和氧化钨的纳米颗粒传感器，纳米传感器的发现大大的提高了对于低浓度有毒气体的检测。氧化钨基气敏材料的研究最早见于报道1967年。当时是通过采用真空蒸发技术获得钨薄膜后，经600-700℃加热氧化，制得氧化钨薄膜。随后用喷涂少量Pt的方法来增强氧化钨对氢气及含氢气体（如：N2H4、NH3、H2S等）的气体灵敏度。

当氧化钨半导体暴露于空气中时，会吸附空气中的氧气，在一定温度下，氧气会从半导体导带中夺取电子形成化学吸附态的氧气，从而使得氧化钨半导体的电阻更大。当氧化钨半导体与其他被测气体接触时，被测气体也会以不用的途径与氧化钨交换电子，从而达到降低氧化钨电阻实现灵敏检测的目的。

WO3/ZnO复合物光致变色性质

详细资料: 分类：钨业知识; 发布于 2014年8月27日星期三 11:34; 点击数：1770

检测WO3/ZnO複合物光致变色性质，是通过取一定质量的合成产物，均匀地涂在载玻片上，放在紫外灯下照射2h，然后将粉末分散于无水乙醇中。利用紫外-可见光光度计测量合成产物光致变色前后其紫外光谱的变化。

首先，将ZnO掺杂量分为1%、3%、4%、5%、7%的WO3/ZnO复合物样品分别置于紫外灯下照射2h，光照射前的合成产物是淡黄色的，照射后合成产物均变为蓝色。用紫外-可见分光光度计进行了测定，合成产物的光致变色前后在最大吸收波长处的吸光度差值设为△OD，用△OD来表示合成产物的光致变色效率。

检测结果显示：
△OD（1%）=0.85，△OD（3%）=0.98，△OD（4%）=1.22，△OD（5%）=1.73，△OD（7%）=1.10.随着ZnO的掺杂质量增加，△OD的值逐渐增大，ZnO的掺杂质量为5%时，△OD的值为最大，也就是说光致变色响应度最强，但是，ZnO的掺杂质量为7%时，△OD的值降低，光致变色响应度减弱。

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制备WO3/ZnO复合物

详细资料: 分类：钨业知识; 发布于 2014年8月27日星期三 11:04; 点击数：1716

复合半导体的研究日益受到重视，复合半导体克服了单一半导体量子效率低的缺点，增加了材料的比表面，增加了活性位置，改善了光催化反应的动力学条件，扩展了光响应的范围。目前，半导体复合研究正在向二元复合及多元复合方向发展。以下介绍二元复合物WO3/ZnO的制备方法。

首先按照质量百分含量为1%、3%、4%、5%、7%的比例，分别称取一定质量的氯化锌溶于0.1mol/L的NaOH溶液，搅拌1h使之反应完全，离心，得到白色絮状沉淀，用蒸馏水、乙醇反复洗涤沉淀3-4次，制得Zn（OH）2溶液。接着称取1.0000g钨酸钠溶于10mL蒸馏水，搅拌均匀，将2mL上述溶液逐滴滴入浓度为4mol/L的盐酸中，搅拌2h使之反应完全，离心得到淡黄色沉淀，同样用蒸馏水、乙醇反复洗涤沉淀3-4次，获得H2WO4溶液。然后，将制得的Zn（OH）2溶液与H2WO4溶液再无水乙醇中混合，充分搅拌，离心，得到淡黄色的沉淀，在烘箱中60℃干燥6h，得到WO3/ZnO复合物。

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