医用钨合金屏蔽件主要应用于核医疗中，作为放射治疗癌症肿瘤，医疗造影，及放射性示踪的辐射屏蔽材料。医用钨合金屏蔽件可用于准直器，核辐射屏蔽件，射线拦阻物，PET注射器屏蔽件，保护罐，放射性同位素容器，脱氧核糖核酸（FDG）容器，多叶准直器等。

医用钨合金屏蔽件材料优势：
高射线屏蔽性：由于钨合金材料具有对各种射线的屏蔽本领高的优点，对阻止150keV的γ射线，衰减90%的 厚度仅需3mm厚，非常适合于对空间分辨率要求高的场合，如医疗准直器，多页光栅等。钨合金材料有着很高的密度(比铅大60%),减小了射线屏蔽件的尺寸， 却不影响射线屏蔽效果。就相同辐射屏蔽性能的钨合金和铅相比较，钨合金的体积不到铅的1/3。
环保性：使用铅作为放射性治疗屏蔽其危害性较大，而铀材料作为屏蔽伽马射线的屏蔽件其本身具有很强的放射性，由于钨合金放射性治疗屏蔽件材料的环保特性，由钨合金为材料制造的医疗器材没有危害性。

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钨合金准直器是缩小粒子束或光波的装置，缩小意味着使粒子射线沿着特定的方向，即只允许与准直器平行的射线通过，或使空间截面梁体变得更窄从而限制射线量的装置。钨合金准直器作为射线加速器的一部分主要应用于放射治疗领域。一个准直器组件包括一个钨合金多页光栅，及一个移动设备。由于钨合金材料具有高密度，高辐射屏蔽性，及无毒环保性的优势，钨合金屏蔽件常被用于制造钨合金多页光栅广泛应用于准直器组件中。钨合金多页光栅由多对用于屏蔽辐射的钨合金叶片及支撑叶片的支架组成。

在准直器组件中，每个钨合金辐射屏蔽件都被设计成能够纵向移动厚度在1到1.5厘米的叶片。而准直器的移动设备是由一个促进器及一个引导器组成，引导器可根据计算及的指令移动支撑钨合金叶片的支架，使得多对钨合金叶片精准地在病灶组织上方开一个口，来控制射线束照射的方向，区域大小，及剂量。

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钨铜触点材料是由钨（具有高硬度、高熔点等优良性能）和铜（具有较高的导电性、导热容等优良性能）构成的合金，具有高强度、良好的耐电弧烧蚀性能和抗熔焊性能等。因为钨铜触点不易被氧化，因而损耗少，所以其主要用于开关断路器、油断路器和SF6高压断路器中。近年来，钨铜触点的开断容量随触点结构的改进而得到很大的提高。

现在，有报道显示，在铜钨触点中添加适量的镍可以使铜钨触点的抗电弧侵蚀性能得到提高；如果将钨粉颗粒的直径细化到5μm左右的话，可以提高铜钨触点的耐烧蚀性能，其中，钨的含量提高到80％-90％的话，铜钨触点的烧损率将降到最低。




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钨触点材料用于开关电器中的性能要求主要有以下几点：

1.机械性能：具有耐高温、高硬度、良好的塑性和优良的韧性等性能要求。
2.物理性能：具有高熔点、高沸点、较低的蒸汽压、较低的电阻率、良好的导热率、较大的热容量、良好的热稳定性、较高的电子逸出功等性能要求。
3.化学性能：具有良好的耐腐蚀性能要求，在大气中不容易被氧化、硫化、碳化而形成不易导电的化合物，若是出现这种情况，则要求其具有较高的挥发性。
4.电接触性能：具有较低的且稳定的接触电阻、耐电弧烧蚀、熔焊和较小的金属转移倾向等性能要求
5.加工性能：具有易于焊接等性能要求，可采用钎焊等方法。




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二硼化钨是一种黑色粉末，它的物理性质如下所示：分子式：BW₂，分子量378.49，密度1.6 g/ml，熔点：2670℃，具有金属导电性，溶于王水。硼化二钨要存储于密闭阴凉且干燥的环境中。如果遵照规定使用则不会分解。BW₂常用于耐磨件的耐磨涂层及半导体薄膜。
硼化二钨的合成方法如下所示：
1.以金属钨和硼为原料，将两者充分混合、研磨，在1400℃以上加热反应得硼化钨，继续反应生成W₂B，经冷却、粉碎得产品。
2.钨与化学计量的硼粉按摩尔比W∶B=2∶1混合，在真空或氩气氛中于1200～1300℃烧结，可制得一硼化二钨。
3.采用固相法。以金属钨和硼为原料制备硼化钨，反应式如下。将化学计量的金属钨粉和元素硼充分混合、研磨、成型，在1400℃以上加热反应得硼化钨。继续反应生成W₂B，经冷却、粉碎得产品。


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仲钨酸铵蒸发结晶为钨冶炼的最后一步关键操作，是控制产品的物理及化学质量的关键工序。仲钨酸铵结晶过程中，随着溶液的酸化，原始料液（NH4）2WO4溶液的杂质会与钨形成溶解度不同的一系列复杂的同多酸和杂多酸。杂质的起始浓度、酸度、温度、结晶率和结晶器比表面等结晶条件也与最终产品中杂质的含量有着直接关系。

1.结晶过程中硅，磷，砷的析出率和固液相分配比随起始Si、P、As浓度升高和WO3浓度的降低而下降。钨的结晶率增加，硅，磷，砷的固液相分配比由上升转化为下降，下降的相对速率是Si>P>As。提高结晶温度和缩短时间能降低仲钨酸铵中硅，磷，砷含量，降低结晶器比表面积可以有效地减少砷含量。硅、磷、砷在结晶前期，主要以替代杂质方式进入仲钨酸铵。结晶中期，以杂多酸铵盐在仲钨酸铵中析出，砷的程度大于硅和磷。

2.在可能达到的三氧化钨浓度范围内，以工业氯化铵为离子交换解吸剂和现行蒸发结晶条件下，钠的有效分配比为0.016-0.059，钾为0.18-0.55.提高钨酸铵溶液中的三氧化钨浓度，同时降低氯化铵用量和结晶母液中钠，钾的浓度，有利于降低仲钨酸铵中的钠，钾含量。在一定范围内降低仲钨酸铵结晶率，提高结晶温度和缩短时间，降低搅拌强度均可以不同程度的降低钠，钾含量。降低结晶器比表面积可以较大地减少仲钨酸铵中钾含量，洗涤可以有效减少其钠含量。

3.钼在仲钨酸铵的析出率和在固液相的有效分配比随着起始钼浓度和结晶率的增加而增大。提高钨酸铵溶液中三氧化钨的起始浓度，降低氯化铵浓度和结晶器比表面积，升高结晶温度和缩短时间均可以有效地减少仲钨酸铵中钼的含量。结晶前期，主要以杂质方式进入仲钨酸铵中；结晶后期，以杂多酸钼铵盐在仲钨酸铵中析出。

 

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2.添加晶种和（NH₄）₂WO₄ 溶液的作用。
最早成核的核前缔合物形成时加入晶种，能够获得费氏粒度和松装密度最大的仲钨酸铵产品，加入完整的晶种能够获得理想的均匀仲钨酸铵产品，加入细碎晶体，虽然能够减少晶种加入量，但由于部分惰性晶粒不长大或不可测量的低速生长，加上二次成核加剧所得仲钨酸铵产品小颗粒多，仲钨酸铵成核期结束后补加（NH₄）₂WO₄ 溶液，可在不改变粒度分布特性的条件下，增大产品费氏粒度和松装密度。补加（NH₄）₂WO₄ 溶液速度快，产品中细颗粒仲钨酸铵会增多，较晚加入（NH₄）₂WO₄ 溶液，仲钨酸铵产品比较均匀。

3.搅拌的影响。
搅拌速度增大，晶体生长速率由扩散控制转化为表面反应控制。搅拌对总钨酸铵均相成核和二次成核的影响却一直在增长。不同搅拌速度下，仲钨酸铵产品的粒度分布是不同的。
 

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仲钨酸铵晶体的粒度对后续钨粉产品的粒度有很大的影响。由仲钨酸铵氢还原制得金属钨粉的粒度大小，在选定工艺条件下对原始仲钨酸铵粒度有依附的遗传关系。粗颗粒仲钨酸铵晶体松装密度大，流动性好，随着后续产品性能和质量要求的不断提高，国内外对粗晶粒仲钨酸铵晶体需求量也逐年增多。粗颗粒仲钨酸铵晶体生成条件如下：

1.温度的影响：
快速升温，降低沸点前的过饱和度。仲钨酸铵蒸发结晶过程适当提高达到沸点的升温速度，不仅可以提高设备产能，而且由于达到沸点的加热陈化的时间短，沸点低，PH值大，还可以减少仲钨酸根A（HW₆O₂₁^5-）的生成率和仲钨酸根A向仲钨酸根B（H₂W₁₂O₄₂^10-）的转化率，为降低晶核生成时的初始过饱和度制取粗颗粒仲钨酸铵晶体创造了条件。

中温成核，减少晶核的形成。仲钨酸铵成核期间内，一定温度范围内升高温度将使结晶产品粒度变细，沸点到成核期结束阶段，适当降低温度对制取粗颗粒仲钨酸铵晶体很重要。

高温长大，减少二次成核。一次成核期结束后，最终仲钨酸铵产品的平均粒度分布主要取决于晶体长大过程二次成核和晶体破碎的程度。一次成核结束后，立即升高温度，在搅拌转速不变的情况下能够缩短搅拌时间，可以降低二次成核和晶体的破碎程度。同时升高温度，增大仲钨酸铵溶解度，对于小晶体的重新溶解很有效，从而生成粗颗粒仲钨酸铵晶体。

 

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硼化钨是一种黑色或灰色六方结晶粉末，它的物理性质如下所示：分 子 式: WB，分子量：194.65，密度：15.2g/cm3，熔点：2660℃，晶格常数a=3115nm，c=1.693nm，显微硬度3700kg/mm2, 是一种难溶物质，且具有金属导电性。常被用作耐磨件的耐磨涂层及半导体薄膜。
硼化钨的相关系统编号如下所示：CAS号:12007-09-9，EINECS号：234-498-8。MDL号：MFCD00049708，PubChem号：24846684。
硼化钨的制取可以通过电炉加热金属钨与硼直接反应制得。
硼化钨的合成方法如下所示：
1.以金属钨和硼为原料，将两者充分混合、研磨，在1400℃以上加热反应得WB。继续反应生成W2B，经冷却、粉碎得产品。
2.将1mol钨与1mol硼粉在真定或氩气氛中于1200～1300℃烧结，可得WB。
3.采用固相法。以金属钨和硼为原料制备硼化钨。将化学计量的金属钨粉和元素硼充分混合、研磨、成型，在1400℃以上加热反应得ＷＢ。


 

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二硅化钨又名硅化钨，它是一种无机硅化物。二硅化钨是一种黑灰色（蓝黑色）四方晶体，它的物理性质如下所示：化学分子式：WSi₂,熔点2165℃，密度是9.3g·cm3，熔点2160℃（3920  °F ，2,430 K），具有良好的抗氧化性，溶于氟王水，但是不溶于水。二硅化钨的化学性质如下所示：它可以和许多的物质发生剧烈反应，例如强酸、氟、氧化剂和卤间化合物等。
二硅化钨相关的系统编号如下所示：CAS系统编号：12039-88-2，PubChem号：16212546。
WSi2常被用于微电子中作为触电材料，其中电阻是60-80μΩcm。同时它也经常被用多晶硅线上的分流器，从而增加多晶硅线的导电性和信号速度。

 

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钨和硅在氩气中于1900℃烧结，形成二硅化钨和三硅化钨。其中三硅化钨又名三硅化五钨，是一中四方晶体。

三硅化钨的物理性质如下所示：分子式：W5Si3，分子量：1003.77，熔点2320℃，约在1450℃时分解，在空气中于500~700℃开始氧化，溶于HNO3+HF混合酸中。

三硅化钨的相关编号系统如下所示：CAS系统编号：12039-95-1，EINECS系统编号：234-912-7。

三硅化钨的制取可以通过钨和硅反应制取，制取过程的化学方程式5W+3Si→W5Si3，制取过程如下所示：

a、取钨粉和硅粉按照摩尔比5∶3混合均匀；

b、将钨硅混合粉末装入一个密封的球磨罐中，抽一定压力的真空后充入氩气，进行一段时间的球磨；

c、对球磨后的粉末在室温下氩气气氛中静置一段时间；

d、对在氩气气氛中静置后的粉末在一定范围内加温一段时间保护气氛、或在一定压力的真空中进行退火处理，获得三硅化五钨粉末。

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