二硫化钨是一种颇具前途的电催化剂，它的层状结构具有可调节的电气特性及裸露的边缘可作为活性中心。它主要被用作氢气进化反应的电催化剂。WS2的表面是惰性的；然而，WS2的催化活性发生在片状边缘，这决定了整体催化性能。为了提高WS2的催化效果，电解质必须与WS2层完全接触。

材料的内在属性，如形态、晶体结构和比表面积决定了材料的光催化效率。由于独特的带隙特性、固有的空位缺陷和低导电性，WS₂薄膜可被用作电和光催化剂，它们已经被广泛用于环境保护和清洁能源的产生。在纳米尺度上，较高的比表面积提供了更多的活性中心，促进了光产生的电子-空穴对的电荷转移。

作为一种典型的钼酸铵，四钼酸铵又称为十三氧四钼酸二铵，是由钼、氧、氢和氮四种元素组成的一种白色或微黄色结晶粉末，是由铵根离子和多钼酸根离子组成的一种钼酸盐，是钼深加工产品的一种重要的化合物，纯度高达99%，英文名为Ammoinum Tetramolybdate，化学式为(NH4)2Mo4O13，分子量628，CAS号为12207-64-6。

与二硫化钨（WS2）一样，二硒化钨（WSe2）也是一种典型的低维度过渡金属硫族化合物半导体材料，是一种层状结构的无机化合物，具有良好的物理、化学和电学等性能，广泛应用于储能电池、润滑、半导体、光伏、航天、航空、军事、国防等领域中。具体来说，WSe2的主要用途如下：

块状二硫化钨可以通过物理和化学方法进行剥离，分为机械剥离法、液体剥离方法和锂离子插层法。近年来，为了获得大面积、高质量的单层WS₂薄膜，研究人员尝试在锭晶衬底上生长单层WS₂薄膜，然后通过原子或分子插层法剥离。

用化学方法制备二硫化钨（WS₂）薄膜的两种常见方法是化学气相沉积（CVD）和在高温高压条件下用水热法从水溶液中生长单晶WS₂。CVD是用于制备WS₂的最常用方法。CVD方法涉及一个反应过程，其中气态前体在固体表面发生化学反应，生成固体沉积物。

钨钴（WC-Co）硬质合金是可制造切削刀具和模具的一种由碳化钨（WC）粉末和金属钴（Co）粉组成的合金材料，其硬度、强度与WC颗粒的大小密切相关，即在一定范围内，WC晶粒越小，合金的硬度和强度越大。而WC粉末的粒度大小与其原材料氧化钨的颗粒尺寸有关，即氧化钨粒度越小，WC粉末越细。因此，为了制造出纳米WC-Co硬质合金，专利号为CN103708560B的研究者提出了一种纳米三氧化钨的生产方法，具体步骤如下：

在过渡金属二硫化物（TMDs）家族中，二硫化钨（WS²）因其半导体特性而具有独特的带状结构；即其宽带光谱响应特性、超快的漂白恢复时间和出色的可饱和光吸收而受到越来越多的关注。

二硫化钨（WS₂）原子结构包括由一个过渡金属层（W原子）夹在两个S原子层之间形成的叠层三层，每个S原子层都有一个六角形的晶格。在三层堆叠中，W原子和S原子通过强离子-共价键结合在一起。这三层形成的被弱的范德瓦尔斯相互作用固定在一起，这允许WS₂层的机械剥离。在体相中，多态性是TMD的独特特征。

作为稀有金属钼的一种重要化合物，钼酸是指由三氧化钼（MoO3）和水按一定比例结合成的一种无色三斜或黄色单斜固体粉末，是由氢离子（H+）、氢氧根离子（OH-）和钼酸根离子（(MoO4)2-）组合成的一种水合氧化钼，英文名为Molybdic Acid，分子式一般为MoO3·2H2O，分子量179.97，CAS登录号7782-91-4。