镍催化的有机金属化学气相氮化镓纳米线沉积生长和流程建模研究

详细资料: 分类：蓝宝石长晶炉-钨制品新闻; 发布于 2014年1月06日星期一 14:42; 点击数：2564

实验和计算流体动力学为基础的反应器模拟研究的组合被用来在等温管式反应器研究了工艺条件对氮化镓纳米线生长的影响由金属有机物化学气相沉积（MOCVD）。合成使用镍薄膜作为催化剂蓝宝石衬底的氮化镓纳米线。观察到的氮化镓纳米线的生长超过800-900 ℃的炉中的温度范围在V /比率从33到67和III被发现是强烈依赖于衬底相对于所述III族进料管的位置。建模研究表明，纳米线的生长一致地发生在一个区域中的反应器，其中所述氮化镓薄膜沉积率降低和气体相，主要由三甲基镓，氨加成物的化合物的反应以及分解产生的中间物质。氮化镓纳米线表现出主要的生长方向。光致发光测量显示增加在GaN近带边发光强度，并在深层次的黄色荧光的减少而增加生长温度和Ⅴ/Ⅲ比率。

外延锆钛酸铅镧[ PLZT （9/50/50） ]薄膜，制作在使用金属-有机溶液的旋涂各种单晶衬底。该薄膜进行热处理，在700 ℃下使用直接插入法1小时。薄膜的外延生长分别平行于钛酸锶、氧化镁、以及蓝宝石衬底。用X-射线衍射，极点图，摇摆曲线，和扫描电子显微镜对薄膜的外延生长进行研究。

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