掺杂氧化镨（Pr6O11）影响三氧化钨（WO3）陶瓷电学特性。多孔致密度低的WO3陶瓷材料因为其具有简单的多孔结构与气敏特性适用于制备气敏器件，所以一直备受关注，是许多研究者研究的热点；而高致密度的WO3陶瓷具有压敏特性，能制备压敏器件，但是对于高致密度的陶瓷却受到较少的关注与研究。

 

虽然通过控制掺杂量、烧结温度与时间可以得到致密度高达94%的WO3陶瓷，但是致密度增加的同时WO3陶瓷的压敏特性却下降，随着掺杂浓度的增加，WO3陶瓷的非线性度下降，甚至消失了。通过设置对比实验得出WO3陶瓷的压敏特受掺杂浓度、烧结温度和时间的影响，当掺杂浓度为0.2mol%压敏特性最好，压敏特性随着浓度增加而逐渐消失；烧结温度为1100℃最佳，更高的温度也不利于WO3陶瓷压敏特性的形成，较高的烧结温度与较长的烧结时间能为WO3陶瓷晶粒的生长提供能量，晶粒增长速度越快，内部氧空位的浓度也随之增大，从而使得更多电子能参与导电使WO3陶瓷表现出低电阻及线性欧姆特性。

 

掺杂对陶瓷的微观结构具有很显著的影响；掺杂能大大改善陶瓷的烧结性能；掺杂对于陶瓷的压敏特性无改善。