三氧化钨陶瓷压敏特性明显不同于传统的压敏陶瓷（如ZnO与SnO2基陶瓷），传统压敏陶瓷之所以产生压敏行为是由晶界掺杂的元素作用形成势垒。而三氧化钨陶瓷的压敏行为可解释为：晶粒表面发生氧化作用形成势垒。这种势垒主要起源于烧结陶瓷过程中晶粒内部与表面热处理后温度下降时间与氧含量情况不同造成晶粒表面与内部存在不同的缺陷，使得晶粒表面与晶粒内部形成巨大的电阻值差异。因此三氧化钨陶瓷晶粒表面与内部形成一个结，外加电场时，电子穿过该结时会形成势垒，导致三氧化钨陶瓷出现压敏行为。

 

当三氧化钨陶瓷经过高温淬火，晶粒的内部与外表面的缺陷受热后会被迅速降温，此时可以认为晶粒内外部缺陷与高温时差别不大，所以三氧化钨陶瓷电阻率极低却不存在压敏行为。在氮气中对三氧化钨陶瓷进行热处理也能使其无压敏行为，三氧化钨陶瓷内外缺陷主要是由于与氧气发生氧化反应而形成。在氮气中热处理缺失氧气，无法发生氧化反应，晶粒表面与内部电子值差异小；而在空气或氧气中热处理的三氧化钨陶瓷，晶粒表面发生氧化反应形成高阻抗，三氧化钨陶瓷具有压敏特性。正是由于三氧化钨晶粒内外巨大的电阻值差异，在晶界中形成电子势垒，所以三氧化钨陶瓷才具有非线性（压敏特性）。