三氧化钨陶瓷是一种具有低的压敏电压、良好的介电特性以及较低的介电损耗的低压压敏材料，同时也因为其具有简单的化学组成成分和微观结构，被作为理想的压敏特性材料而受到关注。早在1994年的时候三氧化钨陶瓷的压敏特性就被Makarov等人发现，但是三氧化钨陶瓷的电学稳定性没有得到改善，压敏系数也低于传统掺杂的ZnO与SnO2基的压敏陶瓷，因此三氧化钨陶瓷想要得到广泛的应用，其压敏特性还必须进行一步的改善。从此以后研究者为了提高其压敏特性，展开大量的研究工作，其中最为重要的方式为通过掺杂其他元素来提高其压敏特性。

 

经过Markaov以及羊新胜等许多研究者做了相关实验与研究发现：使用多种稀土元素来作为掺杂元素，无法明显地改善三氧化钨陶瓷的压敏特性和电学稳定性，后来早期的研究者得出了：掺杂对三氧化钨陶压敏特性无明显改善。但是却有些研究表明：掺杂Sb2O3、Mn2O3、Cr2O3这些过渡金属氧化物，能使ZnO与SnO2基的压敏陶瓷得压敏性能与致密性得到改善，而在三氧化钨陶瓷中掺杂以上元素后其压敏特性却无明显作用。根据上述结果可以得出一种假设：ZnO与SnO2基的压敏陶瓷与三氧化钨陶瓷有着不同的压敏机理？