铈钨电极的氧化铈含量及其电极使用性能

铈钨电极是由某公司的高级工程师发明的,她的发明于1987-1992年相继取得美国、中国、欧洲专利的产品。自从1973年投入生产以来,在国内,铈钨电极作为GTAW(钨极氩弧焊)和等离子弧焊的电极已经广泛地取代了钍钨电极。

该已有专利的铈钨电极中的氧化铈的含量为2-4%,但因为氧化铈的熔点低于氧化钍,尤其氧化铈在与钨粉在氢气氛围下烧结所生成的三氧化二铈的熔点及在电弧高温下可能产生的钨酸盐熔点更低,所以,过高的氧化铈含量对其在电弧高温下使用时的耐烧损性是不利的。之后,上灯厂的生产实践证明了氧化铈含量若是过高,则其成材率会比较低,到1998年左右,他们经过三年的反复测试,证实了1%CeO2的铈钨电极的性能优于2%CeO2的铈钨电极。

氧化铈

 

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