在WS₂混合结构中，原子掺杂是改变材料物理和化学特性的有效方法之一，如带隙和光学特性。例如，Sasaki等研究人员证明了分别位于1.94和2.34 eV的激子吸收峰因掺入Nb而变宽。这表明WS₂单层中的激子对Nb掺杂是敏感的，因为不均匀的拓宽率增强。

WS₂纳米材料的形式包括纳米片、IF-WS₂和NT-WS₂，以及其他。化学气固反应是合成IF-WS2纳米粒子和纳米管的最著名和成熟的方法。Tenne等人最初使用WO₃薄膜和H₂S在850℃的还原气氛（95% N₂+5% H₂）中合成了IF-WS₂纳米颗粒和纳米管。但这种方法只能合成少量的产品。

纳米片是二硫化钨纳米材料最常见的形式，主要的可控合成策略可以分为两类：自上而下和自下而上法。自上而下法可以以较低的成本生产少量或单层的样品，这对基础研究非常有利。在自上而下法中，通过Scotch胶带进行机械剥离是最简单的方法，通过Scotch胶带剥离的WS₂只有几层或单层。

1T-WS₂结构和2H-WS₂结构的WS₂纳米材料的可控合成很重要。1T-WS₂结构由于增加了催化活性位点的密度和金属导电性，被认为是一种高效的氢气演化的助催化剂，而2H-WS₂结构可以作为可见光敏剂使用。因此，WS₂的晶相调节的各种合成方法备受关注。由于从1T-WS₂到稳定的2H-WS₂的转化可以通过退火轻易实现，因此研究实现相反转化的可行方法受到了广泛关注。

作为一种典型的新型钨制品，钨树脂是由高纯度钨粉末和各种树脂材料按照不同比例组合成的一种合成树脂产品，是过渡金属与有机化合物共同组合成的一种灰黑色材料，英文名为Tungsten resin。一般来说，常用的树脂材料包括丁腈橡胶，氯化聚乙烯，聚丙烯，聚丁烯，聚氨酯，热塑性材料等。

由于二硫化钨纳米材料在能量转换和存储领域具有广阔的应用前景，人们致力于研究和改善其WS₂的电子特性和HER机理，如载流子浓度（p）、迁移率（μ）和电阻率（ρ）。根据理论预测，在半导体TMDCs中，由于有效质量降低，WS₂具有最高的电子迁移率。

相较于半导电体材料，二硫化钨纳米材料表现出更高的光吸收率，光催化特性是其另一个重要特性。对于半导体材料，光吸收特性是非常重要的，特别是对于光催化。当WS₂吸收光子时，会发生带内、带外和杂质缺陷之间的转换，这可以形成特定的吸收光谱。块状WS₂的特征吸收峰在910纳米的波长附近，位于近红外（NIR）区域。通过形成纳米结构，可以发现WS₂特征吸收峰的蓝移（blue shift）。

由于全球人口的快速增长和社会经济的快速发展，能源和环境问题受到广泛关注。作为一种过渡金属二硫化物，二硫化钨纳米材料在能源转换和储存领域取得了重要的研究进展。鉴于这些材料的多功能性和丰富的微观结构，二硫化钨（WS2）纳米材料的可塑性和可控合成广受研究人员的关注。

一篇由Schutte等发表在Journal of Solid State Chemistry的文章阐述了二硫化钨（WS₂）和二硒化钨（WSe₂）具有与二硫化钼（MoS₂）同种类型的层状晶体结构。除了常见的WS₂的六边形2H形式外，还有一种斜方体形式，即3R-WS₂，也曾被报道过，它与MoS₂的斜方体形式同型。

二硫化钨（WS2）晶体结构属于P6₃/mmc空间群，通过X射线衍射测量的晶格参数为a = 0.31532 nm和c = 1.2323 nm。作为二维层状过渡金属二氯化物（TMDC）材料的典型代表，其结构由0.6-0.7纳米厚的X-M-X夹层（M为过渡金属；X=S、Se、Te）组成，WS₂拥有类似的夹层结构，每个夹层板由三个原子层组成（中间一层是W原子层；上下两层都是S原子层），形成S-W-S结构。