癌症治疗钨辐射屏蔽件原理

在癌症射線治療中常使用到厚度為0.1毫米到1.5釐米的鎢合金葉片製造癌症治療鎢輻射屏蔽件。癌症治療鎢輻射屏蔽件可通過鎢合金葉片的移動將射線射向指定的治療區域。以鎢合金多頁光柵的工作原理為例。在鎢合金多頁光柵系統中,電動馬達將准直儀中的每個鎢合金葉片中移動到正確的位置,鎢合金葉片達到120 片的多頁光柵可塑造腫瘤輪廓達到毫米級精度。然後,通過調整鎢合金葉片的位置,在被定位腫瘤上方精確的開出射線口,腫瘤將被暴露在高能量輻射中。在此過程中,鎢合金多葉光柵將以腫瘤為中心環繞病人360度旋轉,腫瘤將被射線從不同的方向照射。為了保護周圍的健康組織,高精度鎢合金多頁光柵是必要的。
 

 

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钨铜合金棒清洗技巧

钨铜合金棒现在已经被应用在航空、电子、电力、冶金等行业中,了解钨铜合金棒清洗技巧有助于提高钨铜合金棒的性能,是十分必要的。钨铜合金棒清洗技巧主要有以下两点:

首先,钨铜合金棒清洗技巧体现在脱脂工作。脱脂工作在清洗钨铜合金棒之前进行,可以很好的改善钨铜合金棒的表面质量,提高它的抗蚀能力。脱脂是非常关键的一个步骤,也是清洗工作的第一个步骤,如果脱脂的效果不好,就会影响到钨铜合金棒清洗的整体结果。



其次,钨铜合金棒清洗技巧体现在用碱液脱脂来清洗钨铜合金棒。碱液脱脂有很好的清洗表面的活性剂,又有很好的去除有机润滑剂的作用,现在已经被各个行业广泛使用。

 

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钨铜合金棒应用

钨铜合金棒是由钨铜合金制成的,由于具有一系列显著的优点,钨铜合金棒应用的领域十分宽广。钨铜合金棒应用主要有以下几个方面:

1.电阻焊电极:钨铜合金棒综由于具有钨的高硬度、高熔点、抗粘附的特点,因此经常用来做有一定耐磨性、抗高温的凸焊、对焊电极。

2.高压放电管电极:钨铜合金棒用作高压真空放电管在工作时,触头材料会在零点几秒的时间内温度升高几千摄氏度,而钨铜的抗烧蚀性能、高韧性,良好的导电、导热性能给放电管稳定的工作提供必要的条件。

3.航天用高性能材料:钨铜合金棒具有高密度、发汗冷却性能、高温强度高及耐冲刷烧蚀等性能,在航天工业中用作导弹、火箭弹的喷管喉衬,燃气舵的组件、空气舵、头罩及配重等。



4.电火花加工用电极:钨铜合金棒在用作电火花加工用电极时具有高的电腐蚀速度,低的损耗率,精确的电极形状,优良的加工性能,被加工件WC表面质量好等优点。


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活化烧结制备钨铜合金棒

活化烧结制备钨铜合金棒是一种重要的钨铜合金棒制备方法。活化烧结制备钨铜合金棒的原理是采用物理或化学的手段使烧结温度降低,烧结时间缩短,烧结能提高的一种粉末冶金方法。
活化烧结制备钨铜合金棒的优点在于不仅降低了烧结温度,缩短烧结时间,而且烧结致密度大大提高。活化烧结有机械活化(mechamicalactiva-tion)和化学活化之分,机械活化是机械合金化(mechanicalallo-ying)的前期。它对粉末进行高能球磨,经过高能球磨,粉末的粉末的活性增大。机械活化和机械合金化在材料领域得到了广泛的应用。



另一方面,活化烧结制备钨铜合金棒可以使钨铜合金棒获得较高的相对密度、硬度、断裂强度等,但是活化剂的加入影响铜的导电和导热性能,显著降低了该复合材料的导电、导热性,因此制备的材料只适用于制备导电、导热性要求不高的场合。


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热处理温度对三氧化钨纳米薄膜的影响

经实验发现用磁控溅射法制备的三氧化钨(WO3)纳米薄膜经过两步热处理制备出来的WO3纳米薄膜的性能更加稳定。所以热处理的温度对制备WO3纳米薄膜有着重要的影响。

在基片上溅射的薄膜起初是无定型结构的,对任何气体都没有敏感性,所以需要对薄膜进行热处理,热处理过后才薄膜才具有多晶结构,且稳定性得到改善。经实验发现当热处理温度高于300℃时,产生尺寸为20~70nm的WO3纳米晶体薄膜,再经过600℃热处理得到了性能良好的纳米薄膜。在热处理高于300℃时,平均粒度和裂缝尺寸都有所增加,使得灵敏度下降。但是经过两步的热处理可以避免发生该现象。且经过实验发现第二步热处理在600℃条件下进行处理没有发现薄膜粒径变大或者裂纹的出现。由此可发现运用两步热处理方法制得薄膜比在高温下制得薄膜性能要更好。

 

 

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溅射气体对三氧化钨纳米薄膜的影响

通过反应磁空溅射法制备的三氧化钨纳米薄膜,它的平均粒度径均小于100nm。三氧化钨(WO3)纳米薄膜晶粒的大小与磁射条件和处理温度相关。经过研究者的实验发现在溅射WO3纳米薄膜时,溅射气体量和比例对提高气敏特性起着重要的影响。

通过XPS分析可知,虽然溅射混合气体(O2/Ar)的比例不同,但是W4f7/2和Ols的结合能不变,分别是35.5eV和530.6eV。并且WO3纳米薄膜没有发生化学计量比的变化,但是随着O2分压的不同,WO3纳米薄膜微结构将会有很大的变化,这种现象可以用团聚的减少来解释,即当O2分压增加时,晶体粒径变小。但如果O2分压大于50%时,则会导致孔隙率的降低,从而降低了原件的灵敏度,这说明最佳溅射混合比例为1:1。所以当溅射混合气体(O2/Ar)比例为1:1时采用直流反应磁控溅射法制备WO3纳米薄膜的气敏度最好。

 

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三氧化钨纳米薄膜的制备

近年来,三氧化钨被认为是制备是用来检测NOX,NH3,以及O3的最好气敏材料之一,纳米结构的三氧化钨薄膜的性使得薄膜的特性得到明显的改善。而采用纳米结构的三氧化钨薄膜作为传感器,灵敏度也能得到显著的提高。纳米三氧化钨薄膜的制备方法如下:
1.首先在抛光的Si上用PECVD法生长一层Si3N4,在Si3N4表面溅射叉指向Pt电极,再在其上用直流反应磁控溅射法沉积1500A的WO3薄膜。
2.为了得到良好稳定性能的半导体WO3薄膜,在不同温度下进行两步热处理。首先先将薄膜在300℃下处理6h,随路冷却至室温。
3.然后将前一步经过热处理的薄膜在600℃下进行第二次热处理,时间为12小时,得到WO3气敏原件。

 

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氧化钨颗粒形貌与大小

随着氧化钨广泛应用于工业和现代科技领域,对氧化钨性能和形貌的研究慢慢扩大。这不仅有利于扩大氧化钨的应用领域也有利于提高产品的性能。通过透色电镜观察氧化钨的形貌与大小发现相成分不同的氧化钨颗粒形貌及尺寸相差很大。紫钨的颗粒是棒状,其余的氧化钨颗粒形貌为近球状。紫钨的颗粒尺寸大于其他氧化钨的颗粒大小。而以ATB为主相的蓝钨颗粒尺寸最小。且通过电子衍射图谱可以看出,紫钨颗粒为单晶颗粒,而其他氧化钨则为多晶颗粒。其中棒状紫钨颗粒的长度有几个微米,横断面尺寸为100~200nm左右。以ATB为主相的蓝钨颗粒横断面尺寸为10nm左右。WO20O58为主相的的蓝钨颗粒横断面尺寸为40nm左右,WO3的颗粒横断面尺寸与W20W58颗粒相当。从颗粒间的聚合程度来看,ATB颗粒间的间隙最小。将氧化钨的微观颗粒大小与其宏观FSSS粒度相比较,可以看出这两者并无相关联系。

 

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观察氧化钨团粒

通过扫描电镜观察了氧化钨的团粒的外观形貌与内部结构发现不同氧化钨的外观形貌区别不大,即都保留了原料APT的外观特征。但是其颗粒粒度发生了较大的变化。氧化钨在高倍电镜下的表面特征都不大相同。其中黄钨、以W20O58以及以ATB为主相的蓝钨大颗粒均有不同程度的破碎,且布满了裂纹。而紫钨的形貌与其他三者有明显的不同,它的颗粒较大是针状或棒状晶粒组成的疏松颗粒团。观察氧化钨的团粒内部结构发现所有的氧化钨内部结构都具有丰富的裂纹,其中紫钨团粒内部不仅裂纹丰富,且内部的颗粒为针状或者棒状。紫钨颗粒的这种结构有很大的空隙,使其颗粒内部较为松散,有利于还原过程氢气的进入和水蒸气的逸出,使其还原反应不仅可以发生在表面,也能同时发生在内部,所以反应速度快,生产出来的钨粉粒度细且均匀。

 

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氧化钨的制备

氧化钨是制备硬质合金的重要原料,随着硬质合金行业的不断发展,对产品的质量和性能的要求也越来越高。为此了解氧化钨的性能对制备良好的硬质合金是有重要意义的。所有的氧化钨都是以APT(中午酸铵)为原料再经煅烧而制得的。随着煅烧条件的不同,可得到不同的氧化钨粉末。例如采用同一批APT原料,通过不同的煅烧工艺下分别制备出了紫钨、蓝钨和黄钨。每种氧化钨都有其独特的晶体结构,故它们的物理性能也不大相同。

紫钨是相成分为WO2.72,因其独特的晶体结构所以多用于制取细钨粉和细碳化钨粉。蓝钨在理论意义上的相成分为WO2.97.但是在实际生产中有蓝钨通常是多种氧化钨的混合体,其中包括有黄钨相或者紫钨相。黄钨具有的多种晶型,煅烧温度的不同,得到WO3的晶型就不一样。在700℃的煅烧温度条件下可以制备出正交晶型的三氧化钨。



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