在SAPMAC法生长的蓝宝石水晶阴霾缺损进行了详细研究。它表明，雾度是由大量的二氧化碳气泡组成，并且雾度总是出现在晶体的轴线区域，因为形成在结晶表面的前部的气泡被最经常到对流辊中的中央部的前方通过熔融的蓝宝石晶体表面和然后由轧辊吞噬。此外，对灰霾的形成拉动率的影响进行了分析和手段约束阴霾建议。

蓝宝石晶体从熔体由斯捷潘诺夫（ EFG）法生长。 （1）良好的方位的空隙它们的结果是：在还原气氛中，通过采用在结晶室的加热器单元石墨元件，导致了两种不同类型的孔洞的形成进行生长的晶体的高温真空退火空缺凝血和（2）孔不规则形式装点亚晶界。这些缺陷的形成可以通过抑制氧化铝的熔融和碳之间的相互作用来防止。


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溶液沉淀过程，用来种植镁铝尖晶石的微晶在c轴蓝宝石单晶表面腐蚀坑。在建议的创新成长的过程中，腐蚀坑作为异质形核点。在淬火和时效处理使Mg离子扩散到蓝宝石晶体，沉淀成微晶在蚀刻坑。我们发现沉淀的晶体是镁铝尖晶石具有三角棱锥形。

光抽运固体激光器的最广泛使用的有源元件是无机氧化物的晶体。这种氧化物材料无论是石榴石或刚玉结构是由被称为直拉晶体生长提拉技术制备的产业规模。在直拉法生长的国家的最先进的是一起参与的大尺寸，高品质的氧化物晶体生长的关键变量描述了本说明。红宝石，钇铝石榴石，和钛的蓝宝石晶体生长的描述中提出。组合物，环境气氛下进行，晶体生长的变量，并且对个别晶体类型的环境条件的影响进行说明。对于不同的氧化物的晶体生长的切克劳斯基工艺的适用性，重点是材料性质，例如相图含义（熔化的一致性），熔融温度，坩埚材料，掺杂离子的影响，以及高温熔体化学讨论。


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实验和计算流体动力学为基础的反应器模拟研究的组合被用来在等温管式反应器研究了工艺条件对氮化镓纳米线生长的影响由金属有机物化学气相沉积（MOCVD） 。合成使用镍薄膜作为催化剂蓝宝石衬底的氮化镓纳米线。观察到的氮化镓纳米线的生长超过800-900 ℃的炉中的温度范围在V /比率从33到67和III被发现是强烈依赖于衬底相对于所述III族进料管的位置。建模研究表明，纳米线的生长一致地发生在一个区域中的反应器，其中所述氮化镓薄膜沉积率降低和气体相，主要由三甲基镓，氨加成物的化合物的反应以及分解产生的中间物质。氮化镓纳米线表现出主要的生长方向。光致发光测量显示增加在GaN近带边发光强度，并在深层次的黄色荧光的减少而增加生长温度和Ⅴ/Ⅲ比率。

外延锆钛酸铅镧[ PLZT （9/50/50） ]薄膜，制作在使用金属-有机溶液的旋涂各种单晶衬底。该薄膜进行热处理，在700 ℃下使用直接插入法1小时。薄膜的外延生长分别平行于钛酸锶、氧化镁、以及蓝宝石衬底。用X-射线衍射，极点图，摇摆曲线，和扫描电子显微镜对薄膜的外延生长进行研究。


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蓝宝石单晶生长通过在冷却中心微拉和肩部（SAP-MAC）技术和气泡，观察到在作为生长的晶体的主要缺陷之一。基于生长参数，气泡的形成机理的晶体生长kinetics.It的观点进行了讨论表明，有效地优化的温度分布在炉中，在选择合适的生长速度和通过稍微凸起的界面向熔体可减少气泡的数量。

模型被提出来解释下几个突出的光吸收带的紫外线照射中子辐照蓝宝石晶体的变化。该模型的基础上，新的和以前观察到的光漂白和预测单，配对阴离子空位光学各向异性，指派吸收和发光带阴离子双空位的特定电荷状态。


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蓝宝石衬底上用直流磁控反应溅射外延生长氧化锌薄膜质量的退火效应进行了研究。通过高温退火形成在蓝宝石（α- Al2O3）的衬底表面上的原子台阶的原子力显微镜进行分析。他们对氧化锌薄膜生长的影响进行了检查， X射线衍射和光致发光测量。实验结果表明，膜质量有显着影响的蓝宝石衬底表面的退火处理。蓝宝石衬底的氧化锌的最佳退火温度磁控溅射是1400 ℃，在空气中1小时。

垂直对齐的单晶氧化锌纳米棒已经成功地制造在通过一个气 - 液 - 固过程中半导体的氮化镓，Al0.5Ga0.5N和氮化铝基板。近乎完美对齐，观察所有无基材横向生长。室温光致发光测量显示较强的发光峰在378 nm处。这项工作表明生长氧化锌纳米棒异质结阵列上的铝 x 镓 - X氮 ，其具有从3.44到6.20电子伏特，通过改变铝组分从0到1的可调带隙的可能性，并打开一个新的信道建立垂直对准的异质结器件阵列具有可调的光学特性并实现了一类新装置中的。


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报告可见（红色）激光发射从生长在蓝宝石衬底铕掺杂的氮化镓薄膜。边缘发射满足的受激发射特性的要求：超线性特性，频谱线变窄，偏振效应，寿命降低，并在一个法布里 - 珀罗腔的纵模。在氮化镓：Eu的有源层具有低的阈值（〜10 kW/cm²），用于产生激光的发作。光学增益和损失是50的顺序和20厘米^-1，分别。生长条件进行了研究增益增强和减少损失。为了获得高增益和低损失活性层，富氮生长条件是必需的。通道波导腔导致5×增加的增益值相比，平面波导。

氮化镓薄膜的分子束外延（MBE）生长在蓝宝石，活性氮的两个来源进行了研究：一个电子回旋共振（ECR）等离子体，和叠氮化氢（HN3）。与ECR等离子体源，典型的增长率分别为0.1〜微米/小时。以这种方式生长的薄膜表现出从离子显著表面损伤，并且几乎没​​有光致发光。与HN3，增长率分别为0.25〜微米/小时。叠氮化物生长的薄膜表现出光滑的表面，以及锐利的带能带光致发光。这是首次报道利用HN3通过分子束外延生长III-V族氮化物，它显示了很大的希望作为氮源。


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在维尔纳蓝宝石晶体生长系统，其可分为氧 - 氢焰中的氧化铝粉末被熔化。液滴落在缓慢拉晶的顶部从物理的角度来看，在维尔纳过程是因为氢气和氧气，气体相的流体动力学和通过对流，传导和辐射热传递的湍流燃烧的耦合的复杂。

在维尔纳晶体生长过程的数值模拟已经进行了使用了FIDAP有限元软件，其结果已在过去的研究中被提出。为了确定蓝宝石的透明度的影响，一些假设用于：该过程被认为在准稳定状态下，该模型是轴对称和熔化潜热可以忽略不计，即该粉末中不包括该模型。在所述晶体被认为是不透明的情况下获得的结果进行了比较用的一个完全透明的材料进行模拟。在透明和半透明的晶体生长过程传热的数值模拟。

透明晶体似乎比不透明冷却器，因为在透明体的热量的吸收降低。在不透明晶体的轴向温度梯度比在一个透明的晶体的情况下计算出的要小。通过比较实验热电偶数据的数值计算结果，已经得出结论，完全透明的蓝宝石晶体的仿真比的不透明更逼真。

在这项研究中进一步的步骤将是透过蓝宝石分析了与会媒体的辐射效应。


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大尺寸二维ý Ba2Cu3O7 （ YBCO ）薄膜通过化学溶液为基础的涂料的热解（CP）的过程上30× 10平方厘米​​R面蓝宝石衬底上用真空沉积的二氧化铈缓冲层成功制备。该二氧化铈层非常光滑和均匀的具有0.48纳米的原子力显微镜观察和高度定向通过大面积的X射线衍射θ -2θ扫描的平均粗糙度（Ra） 。c-轴取向的YBCO膜是用一个无氟，金属乙酰丙酮化物基涂层溶液制备的一个CP处理。 A 30 ×退火在大直径管式炉10平方厘米​​矩形的c-轴取向的YBCO薄膜表现出高感性的Jc值，其中分布相当均匀，平均1.0厘米MA -2在77 K。

外延钠β-氧化铝的单晶薄膜已成长为蓝宝石衬底。动力学测量和计算表明， β-氧化铝晶体是通过这是由氧物种的扩散的固相控气态碱物种和蓝宝石衬底之间的化学反应形成的。机制和电影成长的结晶翻译进行了讨论。


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合成上采用改进的热蒸发工艺配方/蓝宝石衬底上的氧化锌纳米棒。使用扫描电子显微镜，显微拉曼所合成的​​纳米棒式和薄膜，其特征在于，和X-射线衍射技术。式的形态变化，从棒向连续薄膜时的生长温度升高至800℃。在生长温度进一步增加，导致配方的沿方向较低的增长速度。微型光致发光测量结果表明紫外带边发射式从左右两个纳米棒和薄膜的山峰。这样式结构的实现可以是用于混合式光电器件的制造是有用的。

最近的研究结果表明，可能是AP-型透明导体薄膜的合成是因为复杂的公式相图的困难。报告使得c轴取向配方薄膜的可靠的方法，薄膜前体沉积在蓝宝石衬底上射频溅射和脉冲激光沉积。在空气中含有公式和公式粉末封闭的坩埚随后的退火公式产生近晶相纯，双轴织构公式。该薄膜是p型和透明带式的间隙。


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轻便合成取向单层碳纳米管（SWNT）阵列与A面蓝宝石衬底可控密度和偏振拉曼光谱的测量。该催化剂的制备是简单地浸渍在蓝宝石衬底到硝酸铁和钼，乙酸钼，其中提高了碳纳米管产量以及再现性的混合溶液中。拉曼光谱测得的高密度纳米管阵列的角度依赖性表明单壁碳纳米管取向主要在检视生长的MATHML源方向与其他两个方向。这表明多种机制的对准，如伪一维排列的Al和浅槽的存在。

获得的硒化镉外延层在蓝宝石衬底上用定向条件进行了描述。多晶硒化镉和在基片上的取向沉积的升华是在真空系统的局部quasiclosed体积。在沉积层的结构和形貌的温度影响进行了研究在结晶区。


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