钨是一种具有高传导性的金属元素，在半导体制造中，常被用作金属层间的通孔（Via）和垂直接触的接触孔（Contact）的填充。基本上，集成电路是由数层材质不同的薄膜组成，

而使这些薄膜覆盖在半导体器件上的技术，就是所谓的薄膜沉积技术。薄膜沉积技术一般有CVD（化学气相沉积）和PVD（物理气相沉积），钨一般采用CVD（化学气相淀积）法来沉积。随着半导体器件特征尺寸越来越小，对钨的薄膜填孔能力的要求也越来越高。因此，如何提高金属钨的填孔能力变得越来越有意义。

 

经研究发现，在钨的CVD技术中，通过改变以下几点可以较好的提高钨在半导体制造中的填孔能力：

1）增加半导体材料浸泡的压力和时间。半导体材料浸泡的压力越大，时间越长，钨的填孔能力越强；

2）增加快速沉积WF6/H2比率及反应室压力。WF6/H2比率越大，反应压力越大，钨的填孔能力也越强；

3）增加预热的压力。预热的压力越大，钨的填孔能力越强；

4）增加成核时的WF6/SiH4比率，WF6，SiH4占的分压及反应室的总压力。WF6/SiH4比率越大，WF6，SiH4占的分压越大， 反应室的总压力越大，钨的填孔能力也越强；

5）降低加热器的温度。加热器反应的温度越低，理论上反应速度越慢，钨的填孔能力也越强。

 

钨的CVD流程图

 

钨矿图片

 

半导体图片