三氧化钨是诸多金属氧化物中的一种过渡金属氧化物，属于n型半导体，其用途十分广泛。作为半导体气敏传感器，三氧化钨已被认为是检测NO _x、SO_x、NH₃、H₂S等最有前景的新型氧化物气敏材料之一。自从1991年碳纳米管被发现以来，一维纳米材料所呈现的更加新颖的电、磁、光、热等物理和化学特性越来越受到关注，展现出其应用价值和广阔的应用前景。而三氧化钨纳米线比传统的氧化钨材料具有更大的比表面积，其在气敏传感器、电致发光、光致发光、电导电极及光催化等方面均具有广泛的应用前景。另外，三氧化钨纳米线还具有更高的表面活性和更强的吸附能力，加快与气体的反应，从而大大提高了灵敏度并进一步降低了传感器的工作温度。

 

三氧化钨纳米线气体传感器的制备步骤如下：

1. 以钨酸钠为原料通过水热法制备三氧化钨纳米线；

2. 以氧化钨纳米线为主体材料，配合粘合剂——乙基纤维素和松油醇，并添加适量的玻璃料以增强敏感材料和氧化铝基板之间的粘附力，以上材料按比例混合、搅拌均匀，得到气敏材料浆料；

3. 烧结气敏元件过程：将上述料浆印刷在被有银电极和引线的氧化铝基板上，置于80°C的空气中充分干燥，转入300〜450°C的箱式炉中烧结1〜2小时，制得三氧化钨纳米线气敏传感器元件；

4. 元件老化过程：将气敏元件在300°C老化120小时，最终得到氧化钨纳米线气敏传感器。

 

实验表明个，这种氧化钨纳米线气敏传感器对低浓度（l〜100ppm)氢气、 CO和氨气都具有很高的灵敏度、优良的重复性和很好的稳定性等优点。