纯钨电极是最早使用的电极材料,主要是因为钨具有熔点高,蒸汽压低等特性。但是,纯钨的逸出功较高,且在高温下会发生再结晶形成等轴晶状组织,使得材料变脆而发生断裂。为了提高钨电极的再结晶温度,降低钨材料的逸出功,研发出了一系列稀土钨电极。
稀土钨电极是在钨的基础上,掺杂一些高熔点的氧化物作为活性物质,降低钨的逸出功。常见的稀土钨电极有钍钨电极、铈钨电极、镧钨电极和锆钨电极。其中钍钨电极发明于1913年,它具备良好的性能,但是具有放射性,长期使用会危害人类健康,造成环境污染。而铈钨电极和镧钨电极较钍钨电极具有更良好的性能,且没有放射性,具有广泛的应用前景。
钨电极掺杂稀土始于前苏联,在60年代前苏联就有稀土钨电极的相关报道。中国,在1973年成功研制和应用铈钨电极。
20世纪80年代后期,日本相关学者在新型电极材料方面取得了一些进展,研制出了一系列稀土钨电极,包括单元稀土钨电极,二元稀土钨电极和三元稀土钨电极。在单元稀土钨电极中,镧钨电极的综合性能较好,其次是钇钨电极和铈钨电极。二元稀土钨电极中,按La2O3:CeO2=1:1,La2O3:Y2O3=1:3,CeO2:Y2O3=1:3配比制备的二元稀土钨电极具有较好的性能。而在三元复电极中按La2O3:CeO2:Y2O3=1:1:3比例制备的三元复合电极,具有逸出功低、工作温度低等优点。
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