仲钨酸铵制备氧化钨纳米片自组装微球

三氧化钨是一种η-型宽禁带半导体氧化物(禁带宽度约2.8eV)，由于晶体内存在着原子或电子缺陷，使化合物发生化学计量偏离，其电荷载流子浓度主要决定于化学计量缺陷(如氧空位)的浓度，使其具有优异的催化和气敏性能。在半导体气体传感器领域，低维度纳米氧化钨被认为是检测氮氧化物等环境有害气体最具前景的新型半导体气敏材料，而备受关注。有研究向我们展示一种氧化钨纳米片自组装微球的制备方法，其步骤如下：

1.溶解钨盐
将仲钨酸铵（APT）置于反应容器中，加入去离子水，配成浓度为0.10〜0.80mol/L的溶液；
2.加草酸，超声波反应
将APT溶液置于100〜750W功率的超声波发生器中，在超声条件下加入草酸充分反应，其中草酸的加入量按每升APT溶液中加入0.12〜0.47mol的草酸；
3.滴加无机酸溶液，调pH值
将浓度为1.00〜4.50mol/L的无机酸溶液缓慢滴加到上述溶液中，调节PH值至0.50〜3.50，继续超声反应20〜150min，得到黄色沉淀；
4.离心、洗涤，后干燥制得产品
经离心洗涤，将得到的黄色沉淀在50〜80°C下干燥4〜20h，制得所需氧化钨纳米片自组装微球。