三氧化钨光电转换的影响因素

光电转换过程的原理是光子将能量传递给电子使其运动从而形成电流。这一过程有两种解决途径，最常见的一种是使用以硅为主要材料的固体装置，另一种则是使用光敏染料分子来捕获光子的能量。染料分子吸收光子能量后将使半导体中的带负电的电子和带正电的空穴分离。

三氧化钨（半导体材料）的光电转换过程为是光照射到半导体材料上，价带电子会吸收光子的能量，只有当价带电子吸收的光子能量足够大，大到满足电子跃迁跃迁到导带上，最终光生电子-空穴分离，驱动反应的进行。光生电子-空穴分离后，空穴在材光电转换表面的氧化位点，对有机污染物进行氧化降解，然而电子到跃迁到导带后会迁移到还原点会重新迁移到外电路而形成电流或者在还原点实现光解水制取氢气。

三氧化钨材料的光电转化过程主要分为三部分：电子吸收光能量、电子转换光能量、发生跃迁与空穴分离以及电子传输到外电路中。经过分析影响三氧化钨光电转化性能的主要因素有：光阳极制备的过程；纳米结构材料的结晶性与维度；纳米结构薄膜的形貌；光电子与空穴的复合和分离；光电子的传输及三氧化钨表面缺陷等。