过饱和度用浓差推动力△c（△c=c-c0）【其中c为溶液过饱和浓度，即溶液主体浓度；c0为溶解度饱和浓度，即平衡饱和浓度】。有学术认为仲钨酸铵晶体生长过程分为：非基元反应、结晶介质扩散和界面反应三个步骤。某一时刻的瞬间过饱和度△c决定于结晶过程过饱和生成（聚合反应）和消除（相变反应）的差值。与△c相关的线性生长速率（r1）和质量生长速率（rm）可定量反映它们的变化关系：

r1=K1△c1, （k1位线速率常数）

rm=Km s△c1， （km为质量速率常数，s为已有晶粒总表面积）

故，rm=kms2√ri/k1

结晶全过程及仲钨酸铵过饱和生成和消除速度的变化经历3个阶段，如右图：

                                                         

由图可知，阶段Ⅰ:诱导期，rm=0，仲钨酸铵结晶过程过饱和生成速度增大，△c1不断升高。阶段Ⅱ：出现晶核，rm>0，过饱和生成速度始终大于消除速度，相变反应为结晶过程的限制性环节。反应前期，由于s较小，△c依然升高，相变反应有s控制。随着s增大，由r1表征的△c达到最大值后开始下降，相变反应由△c控制。阶段Ⅲ：由于s增大，过饱和消除速度与生成速度相等，rm出现最大值。rm值随过饱和生成速度等量下降，聚合反应为结晶过程的限制性环节。显然，此阶段的rm值同时可作为过饱和生成速度的量度。