凭借钨材极高的熔点、优异的高温强度、良好的热导率以及在真空或惰性气氛中化学惰性强等特性,钨坩埚的应用领域非常广泛。
一、半导体单晶生长
1.硅(Si)单晶提拉(Czochralski)
在硅单晶生长过程中,坩埚必须承受约 1400 ℃ 以上的高温,并与熔融硅长时间接触而不发生化学反应。钨制坩埚凭借其高温强度和化学稳定性,成为高端晶体生长设备中承载熔体的首选材料。
2.砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)等 III–V 族半导体
这些材料的熔点更高、对纯度要求更严,生长温度往往需要达到 1500 ℃ 以上。W坩埚能提供稳定、高纯的熔体环境,确保所制得单晶具有低位错密度和高电性能一致性。
二、高温合金与功能材料熔炼
1.钴基、镍基高温合金
航空发动机涡轮叶片、燃气轮机等关键部件采用的高温合金,需要在高达 1500–1700 ℃ 的真空或惰性气氛中进行真空电弧熔炼或感应熔炼。W坩埚可在这些极端工况下保持尺寸稳定和力学完整性。
2.钨合金、铼合金及稀贵金属
含钨、铼、铂、钯等稀贵金属的合金熔炼工艺温度高、对容器要求苛刻。钨制坩埚绝热性好、抗蠕变性能优异,能够承载高熔点金属长时间熔炼。
3.氧化物与碳化物陶瓷材料
如碳化硅(SiC)、氮化硅(Si₃N₄)、氧化锆(ZrO₂)等功能陶瓷,在 2000–2400 ℃ 左右烧结或熔融时,钨制坩埚可作为内衬或模具使用。
三、核工业与放射性材料处理
1.核燃料制备
在铀、钍金属的高温熔炼与铸锭工艺中,W坩埚因其低中子吸收截面(约 2.7 b)和优异的抗辐照性能,被用于核燃料块或靶材制备。
2.放射性废物高温处理
将高放废液或废料转化为玻璃或陶瓷固体时,需在高温真空或惰性气氛下进行熔融。钨坩埚可承担高温化学环境中的长期运行,减少二次污染风险。
四、真空冶金与电子束熔炼
1.电子束熔炼(EBM)
EBM 设备中常用W坩埚承载金属粉末或金属块,在真空状态下用电子束束流进行熔炼、精炼。此坩埚的高温耐受性和抗蒸发性能确保了熔炼过程的洁净度和金属纯度。
2.真空热处理与热等静压(HIP)
W坩埚在热等静压炉中也经常用作坩埚或内套,以支撑和密封粉末预制件,保证高温高压下组织致密化。
五、材料科学研究与高温分析
1.差示扫描量热(DSC)与热重(TG)测试
高温热分析仪器中,钨坩埚可以用于 2000 ℃ 以上的样品测量,研究材料相变、热解和氧化行为。
2.高通量材料研发平台
近年来,科研机构搭建的高通量熔炼和筛选平台中,W坩埚常用于并行小尺寸样品的自动化合成、快照式性能测试,推动新材料快速发现。
六、新能源与功能材料制备
1.热电材料
SiGe、PbTe、Bi₂Te₃ 等热电合金或纳米复合材料的熔炼与结晶,W坩埚可提供高纯、高温、惰性环境,保证热电性能和材料稳定性。
2.太阳能电池材料
GaAs、CdTe、CIGS 等光伏材料单晶或薄片生长过程中,需要高温熔体处理。钨坩埚因其洁净度和稳定性,成为该领域的重要器具。
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