锂离子插层剥离法制备二硫化钨纳米片负极材料

二硫化钨纳米片，即WS2纳米片，是一种非常典型的过渡金属二硫化物半导体材料，由于在实验过程中表现出非常优异的电化学性能，而在锂离子电池负极材料领域有潜在的应用前景。那么，锂离子插层剥离法是如何制备二硫化钨纳米片负极材料？

锂离子插层剥离法

锂离子插层法是利用含锂（如正丁基锂）溶剂嵌入到二维层状纳米材料中，形成中间化合物增大材料的层间间距来减弱层间范德华力，然后超声，最终得到少层甚至单层的纳米片。

Loo等将WS2粉末加入正丁基锂和己烷的溶剂中，在氩气氛下于25℃搅拌72h，然后通过离心干燥成功制成WS2纳米片。虽然通过此方法制的WS2纳米片产率较高，但是仍然存在一些难题，比如此反应需要较长时间，另外锂插层过程必须严格控制防止金属纳米颗粒和Li2S沉淀的形成。为了解决锂离子插层中的难题，可以通过辅助手段（电化学工作站）让插层剂加速进入WS2层状材料，然后超声制备单层WS2纳米片。

Zeng等用锂箔充当电池的负极，将WS2与乙炔黑混合而制备为正极，电化学插层使用电流密度为0.05 mA 的恒电流放电（如图 1 所示），该过程在几个小时内就可完成，而且可以通过检测锂的插入对反应进行很好的控制。和液相插层法相比，通过电化学插层法可明显缩短锂离子插入WS2层间的时间，且能够精确控制锂插入，防止锂离子插入过多导致插层化合物的分解。

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