限制空间法单层WS2薄膜

限制空间法制得的单层WS₂薄膜呈三角形状，具备大面积、大尺寸、高质量等特点，这不仅是单层WS₂在大范围内大尺寸生长的一大突破，也为其他TMDs材料单层薄膜的相关制备提供了参考。

限制空间法有效调控钨粉和硫粉两种源粉的比例，将两种源粉蒸汽局域在两片SiO₂/Si衬底之间进行反应，进而沉积，从而制得单层WS₂薄膜。该种方法制得单层WS₂薄膜，具备以下特点：

1. 单层二硫化钨薄膜以三角形为主。限制空间，主要是将两种源粉蒸汽局域在两片衬底之间进行反应，进而沉积。在这种制备条件下，钨源蒸汽需要绕过底部进入到两片衬底之间。研究人员通过改变钨源源粉的路径，使得在钨源源粉蒸发初期，硫源源源粉还未来得及大量到达衬底之间时，限制了钨源源粉到达衬底之间的量。
2. 单层二硫化钨薄膜表面清洁干净，具备较高的结晶质量。
3. 单层二硫化钨薄膜厚度均匀。
4. 单层二硫化钨薄膜尺寸较大、面积较大。薄膜尺寸随生长时间可控，最大尺寸可达500μm。当生长时间继续延长时，独立的单层二硫化钨薄膜互相连接，形成连续薄膜，面积大大增大。

自2004年石墨烯被成功剥离之后，具备相同层状结构的过渡金属硫属化合物（TMDs）二维材料的制备引起了科研界的研究热潮。单层二硫化钨是被研究的较为广泛的一种材料。

限制空间法在二氧化硅/硅（SiO₂/Si）衬底上制备取得了大面积、大尺寸、高质量的单层二硫化钨薄膜，有效克服了单层WS₂薄膜制备过程中形状难以调控的问题，为其他TMDs单层薄膜材料的大面积、大尺寸、高质量生长提供借鉴。