化学气相沉积法制备二硫化钨

化学气相沉积法制备二硫化钨，工艺流程相对复杂，但却可以合成高质量、大面积的二硫化钨单层材料，是一种重要的二硫化钨制备方法。

化学气相沉积法，指利用含有薄膜元素的一种或几种气相化合物或单质、在衬底表面上进行化学反应生成薄膜的方法。该方法已经广泛应用于提纯物质、研制新晶体、淀积各种无机薄膜材料，而且这些材料的物理功能可以通过气相掺杂的淀积过程精确控制。

目前，主要有两种化学气相沉积制备二硫化钨的方法：

1. 两步法：C.M.Orofeo等人首先使用磁控溅射方法，在氧化镁（MgO）表面溅射金属钨或钼的薄膜，之后再在硫或硒气氛下烧结，最终制备TMDs（过渡金属硫属化合物）材料。二硫化钨可以采用这一方法进行制备；
2. 一步法：低温加热硫粉，同时用较高温度加热氧化钨（WO₃）粉末，共同沉积在一个附近的衬底上。该方法可以生长较大面积的二硫化钨材料。过程中，一般选用氩气、氢气混合气体作为保护气；衬底一般选用二氧化硅/硅（SiO2/Si）或蓝宝石。

化学气相沉积法制备二硫化钨，工艺流程相对复杂，但是制得产品通常具备高质量、大面积的特点。基于这一制备方法，人们可以研究新的合成方法来生长大面积的完整的二硫化钨层状材料，从而开辟相关领域新的应用，比如晶元大小的电子器件、柔性透明的光电子材料等。