电子薄膜用高纯钨及钨合金溅射靶材

高纯钨及钨合金溅射靶材由于具有高的电阻系数、良好的热稳定性能和抗氧化性能，已被成功地应用于电子薄膜布线的扩散阻挡层。

并且由高纯钨及钨合金溅射靶材制备的各种薄膜如WOx-TOx、W-Ti-O和W-Ti-N等也在半导体行业和太阳能行业溅射镀膜方面得到了广泛的研究和应用。目前65纳米级、45纳米以下级的线宽代表了最先进的半导体芯片制程同时也是最为主流且将会成为主要半导体芯片制造业的布线技术，这些级别的布线均采用的是超高纯铜材料，超高纯铜材质的芯片布线已经占据了市场主导地位，而与铜布线配套使用的阻挡层材料高纯钨及钨合金溅射靶材的消耗量逐渐增加，因此高纯钨及钨合金溅射靶材成为靶材制备研究的热点之一，也越来越成为集成电路行业关注的焦点。但国内电子薄膜用高纯钨及钨合金溅射靶材的生产仍处于初级阶段，还没有相应的国家标准，很大程度上制约了国内电子薄膜用高纯钨及钨合金溅射靶材的研发、制作及工业化生产。因此，需要制定相关的标准，以促进现有产品质量的提高，确保电子薄膜用高纯钨及钨合金溅射靶材的检测规范统一符合统一标准。