氧化钨陶瓷老化过程

氧化钨陶瓷的老化过程能够反映其抗老化的能力，其抗老化能力主要通过氧化钨陶瓷的漏电流数值来测定。

第一步老化过程：将氧化钨陶瓷置于氧气气氛下，在氧化钨陶瓷两端加载10mA的电压，每隔60秒采集一次漏电流值。老化12小时后，将氧化钨陶瓷拿到空气条件下测量其伏安特性。

第二步老化过程：将氧化钨陶瓷置于氮气气氛下，在氧化钨陶瓷两端加载10mA的电压，每隔60秒采集一次漏电流值。老化12小时后，将氧化钨陶瓷拿到空气条件下测量其伏安特性。

如图所示，在第一步老化试验过程中，漏电流变化过程跟在空气条件下情况类似，但是稍有不同。在氧气气氛条件下，随着电压加载时间的延长，漏电流迅速减小至最小值。然后保持稳定，没有出现在1050℃空气烧结的氧化钨陶瓷的漏电流数值，发生先减小后增大的现象。也没有1100℃空气烧结的氧化钨陶瓷漏电流缓慢减小。

在第一步老化过程结束后，通过测量氧化钨陶瓷的伏安特性曲线，我们发现氧化钨陶瓷的压敏电压增大，而非线性系数减小，这说明氧化钨晶界的势垒高度增大的同时，其晶粒电阻变大。在氧气气氛条件下，氧气通过晶界与氧空位发生化学反应，使得晶界的势垒增高。从而使氧化钨压敏陶瓷的漏电流减小，压敏电压增。然而与吸附氧结合的电子来源于晶粒，随着吸附氧离子的增多，晶粒中的电子浓度减小，导致晶粒电阻增大。