氧化钨原位还原

由于非化学计量的氧化钨具有一定的还原能力，所以可以利用低价态的氧化钨弱的还原能力与贵金属盐溶液通过原位还原的反应，直接将贵金属颗粒沉积在氧化钨表面。

氧化钨原位还原是一种简单易行、条件温和，同时不需要助还原剂和稳定剂的合成方法。原位还原避免了引入杂质，从而确保氧化钨和贵金属颗粒复合物接触面干净。虽然贵金属催化剂在催化很多反应方面拥有非常优异的催化性能和稳定性，但从实际应用的角度考虑，制备方法也是一个非常关键的因素，而显然使用常用的方法在载体表面负载贵金属颗粒是需要通过紫外灯光照、氢气还原等，耗时长、操作复杂，因此，如果利用缺陷型氧化物的弱还原能力，直接还原贵金属盐前驱物，从而快捷、方便的合成贵金属/氧化钨复合物，将会大大减少人力物力的投入。

通过原位还原反应制取的氧化钨材料中，其缺陷的存在不仅能影响材料的光催化特性，还会影响材料的导电性。氧化钨作为n型半导体，其电学特性主要取决于导带中的自由电子浓度，而缺陷能决定半导体中自由电子的浓度，所以说材料中引入缺陷对材料的性能起非常重要的作用。而且已有研究表明，在锂离子电池的负极材料中引入缺陷能提高电子导电性，加快电池中锂离子迁移，同时为锂离子的存储提供空间从而提高材料的电化学性能，因此氧化钨特殊的晶体结构，使具有一些独特的性能，具有应用到光催化、超级电容器、半导体和信息存储等领域的巨大潜能。