氧缺陷型氧化钨催化性能

氧缺陷型氧化钨作为一种新型材料，它有着比普通氧化钨更为优良的性能优势。其催化性能的测定，主要使用甲基橙法来确定氧缺陷型氧化钨的结构特点。

氧化钨本身具有负电性，对亚甲基蓝这些阳离子染料分子具有强吸附性，但是并不吸附甲基橙中性染料分子。在测试氧缺陷型氧化钨材料的光催化材料时，需要排除材料对染料的吸附性。因此在测试氧缺陷型氧化钨的催化性能时，使用了甲基橙溶液。可见463 nm 处对应于甲基橙中的偶氮显色基团。在463nm的峰强度逐渐下降，证明甲基橙的偶氮基团正在断裂。

在550 nm-780 nm可见光下的降解率明显大于暗场下的降解率，可推测光催化效率较高，在暗环境中浓度也有所下降，但是主要作用的是光催化反应。为了进一步了解苯环在波长大于550nm的光线照射下是否裂解，分别取0.5 ml降解了0 分钟 和  180 分钟的甲基橙溶液烘干，用显微红外吸收光谱仪进行表征。在甲基橙染料在波长大于550 nm的光线照射时降解0 分钟和180分钟时的吸收光谱图中，1632、1530、1425分别是水、甲基的吸收峰。可见0分钟时1607处苯环所对应的C=C吸收峰、1367处的N=N吸收峰在降解180分钟后消失，而1425处的C-N吸收峰出现，可以推测甲基橙中的苯环确实被裂解。半导体对光的吸收范围取决于半导体的禁带宽度和能带结构。