氧化钨真空热氧化法

钨金属在一般情况下较为稳定，其熔点高于3400 ℃，沸点高于5700 ℃。在有氧气的环境中，当温度在600 ℃以上时将会被迅速氧化为三氧化钨。通过真空热氧化法可以制备氧化钨材料。

真空热氧化法的原理是：在真空热蒸发镀膜机中，以气固相反应模型为基础，通过在高温下加热和微控制机内氧气，使固体氧化并升华为气相氧化物，再冷却沉积为固体。以钨单质在氧气的环境下进行热氧化为例，其化学反应式为：

当温度逐渐上升时，钨的表面会迅速被氧化为氧化钨层。由于钨的熔点高于3400 ℃，而氧化钨沸点高于800 ℃，当温度大于800 ℃时，氧化钨层将升华为气相氧化钨。当温度低于800 ℃时，气相氧化钨将凝华并沉积在衬底上，根据调节气压、氧气、惰性气体、温度控制等条件，可以合成不同晶相的氧化钨纳米薄膜。

通过对其催化性能进行测试和分析，探索了氧化钨光催化材料的催化反应降解甲基橙机理。结果发现氧缺陷可以使氧化钨的光响应波长范围扩展到550 nm以上，极大的扩展了氧化钨光催化材料的光响应范围。氧缺陷的存在也使它在暗环境中亦可降解污水的有毒染料分子。