相对于过渡金属二氧化钛（TiO2）来说，二硒化钨（WSe2）纳米颗粒更适合用来制造高性能的光电极，这主要是因为该钨化合物具有更高的光吸收系数和能量转换效率。WSe2的光电转换效率高达17%，而 TiO2只能吸收5%的太阳光。

目前，对于二硫化钨的制备方法主要采用射频溅射法、模板法、水热合成法、微波辅助合成法及超声化学合成法等。但是，这些方法均存在对于设备要求高、工艺复杂、成本昂贵、不利于器件的开发和应用。针对上述的不足，下文将为大家介绍一种能制备具有大比表面积的N掺杂WS2纳米片的烧结法。其具体步骤如下：

作为过渡金属钨的较为典型一种化合物，二硒化钨（英文为 tungsten diselenide，分子式为WSe2）因晶体结构特殊，而具有较为出色的力学、电学、光学、磁学等性能，广泛应用于航天航空、军事国防、医疗设备等领域中。

目前，由于硅基的存储器件已经基本达到了理论上的极限，所以对于新型的能够满足未来微纳器件制作的半导体材料的探究迫在眉睫。而基于二硫化钼（MoS2）的铁电存储器理论上开关比能够达到10^8，电子迁移率达到数百，这使得它在未来的电子器件中有着广阔的应用前景。然而，低的接触电阻使MoS2金属界面的肖特基势垒较低，从而限制了MoS2作为铁电存储器沟道材料的应用。