光电极用二硒化钨

相对于过渡金属二氧化钛（TiO2）来说，二硒化钨（WSe2）纳米颗粒更适合用来制造高性能的光电极，这主要是因为该钨化合物具有更高的光吸收系数和能量转换效率。WSe2的光电转换效率高达17%，而 TiO2只能吸收5%的太阳光。

那什么是光电极？其是一种将给光刺激与电活动记录功能集成在一起的电生理器件，主要配合光遗传学技术应用。

该电极在工作时，由光源发出的光耦合进入光纤，继而由另一端输出，照射在经过光基因转染过的细胞上，当光强和波长适当时，细胞膜上的光敏离子通道将被启动，引发细胞产生电活动，继而这种电活动的变化被光电极上的电极所记录。与电刺激-电记录的模式相比，由于光基因操作具有很强的指向性和选择性，光刺激可以诱发产生电活动的神经元或神经元类型是确定的，而不是电刺激那样超过刺激阈值的全激发，因此很快就成为神经科学研究的利器。

目前，常见的光电极导电材料是 TiO2半导体，其因价格相对低廉而受到该领域欢迎。不过，它存在太阳光吸收率较低的缺点，因而无法满足今后的需求。近几年，经过材料科学家的不断努力探索，终于发现二硒化钨材料能很好地用来取代氧化钛。

二硒化钨的结构是由上下各一层硒原子连接中间一层钨原子所组成的。这种WSe2材料就像石墨烯一样可吸收光线，所吸收的光线可用于产生电力。

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