氮掺杂WS2纳米片

二硫化钨（WS2）纳米片是一种具有间接带隙的半导体材料，其因有类似于石墨烯的层状结构而具备特殊的光、电、热等性能。此外，WS2作为固体润滑剂还具有优异的减摩和耐磨等性能。目前制备WS2纳米片的方法有射频溅射法，范本法和水热合成法。不过，这些生产方法对设备的要求高、工艺复杂、成本昂贵、不利于器件的开发和应用。因此，非常有必要寻找一种设备要求低、工艺简单、成本廉价且具有高效重复性的生产方法。

为了解决上述的不足，有研究者提出了一种采用一步烧结法制备具有大比表面积的氮掺杂WS2纳米片的方法。其具体步骤如下：

a）首先将氯化钨放入容器中，然后向容器中加入硫脲，最后向容器中加入酒精得到的胶体；

b）将得到的胶体放入恒温箱中，在70-100摄氏度下干燥；

c）将干燥好的样品，放入瓷舟中，在100-200sccm的氩气环境下在540-560摄氏度的管式炉中烧结2-4小时后随炉降温得到具有大比表面积的氮掺杂WS2纳米片。

该生产方法注意事项：

（1）氯化钨与硫脲的品质比1:1-6，每克硫脲加入酒精8-50ml。

（2）步骤c）中管式炉从室温到540-560摄氏度的升温速率为8-12摄氏度/分钟。

利用烧结法生产出来的氮掺杂WS2纳米片，不仅具有优异的性能，还有较大的比表面积（110m2/g），进而能使之应用更加广泛。

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