GaAs与GaN芯片的不同之处

众所周知，新一代的电子芯片将引领电子市场的变革。作为第二代和第三代半导体的主要代表，GaAs（砷化镓）和GaN（氮化镓）都属于化合物半导体材料，均因为具有较好的耐高温、高压、高频以及高电流密度性能的优势，在卫星、高铁、雷达、发电、输变电、照明等领域中有着重要的地位。那GaAs与GaN芯片有什么不同之处？

砷化镓芯片因能同时处理光电数据，而被广泛应用于遥控、手机、DVD计算机外设、照明等诸多光电子领域；因电子迁移率比硅高6倍，而成为超高速、超高频器件和集成电路的必需品。此外，砷化镓芯片还有噪音小，耐高压性能好的特点，适合运用于移动电话、卫星通讯、微波点对点联机、雷达系统等地方。不过，砷化镓单芯片的价格也相对较高，大约是相当于同尺寸硅单芯片的20至30倍。

与砷化镓芯片相比，氮化镓芯片不论是在成本、体积、重量、功率方面还是效率方面都会更胜一筹。

氮化镓芯片的功率密度，也就是同样大小芯片所能够处理的电能，比砷化镓芯片高5—10倍；在所允许的电压和电流方面，同样大小的氮化镓芯片比砷化镓芯片高一倍多。另外，氮化镓材料的热导率是砷化镓的7倍，这就意味电芯的冷却要求比较低。因此，氮化镓芯片特别适合应用于手机基站、干扰机、战术无线通信系统、卫星通信战、电力分配系统和军用雷达系统之类的高频设备中。但是，氮化镓芯片可靠性较差，成本较高。

• < 上页
• 下页 >