传统的二硫化钼薄膜制备方法是将MoS2材料是采用CVD法在Si衬底上制备然后移植到其它材料上（如GaN衬底）。这种技术虽然简单易行，通用性强，但是却具有非常致命的缺点，就是MoS2材料与衬底材料的结合力比较差，转移过程中会引入额外的缺陷，降低产品质量，另外转移移植过程也相当繁琐。因此，这样所制得的材料也就无法广泛应用于电力电子领域甚至是发光领域。针对上述的不足，下文将为大家介绍一种MoS2薄膜的新制备方法。

与石墨烯层状结构相似的二硫化钼（MoS2）同样能被剥离成单原子层的二维材料，其在电子器件、催化、光电领域等中具有极大的潜在应用价值。当前，常使用化学气相沉积法来制备尺寸较大且表面均匀的MoS2，但是衬底上的杂质或划痕等缺陷易限制产品核的生长。因此，下文将为大家介绍一种单层二硫化钼的新生产方法。其具体步骤如下：

为了进一步升高太阳能电池的光电转换效率以及降低生产成本和减低对生态环境的污染度，研究者表示其在生产时掺杂适量二硫化钼（MoS2）薄膜来作为重点功能性原料。

碳纳米管在几何层面上可以看作由若干层石墨片沿同一轴线卷绕而形成的空心管状结构，根据石墨片层数可将其分为单壁碳纳米管、双壁碳纳米管和多壁碳纳米管。目前，它的制备方法有：电弧放电法、激光烧蚀法、化学气相沉积法（CVD）以及火焰法等。其具体操作如下：