二氧化钨（WO2）是一种具有金属电导率的材料，电子电导率约为3.5×102S/cm。其之所以能具有这个特性，是因为该材料晶格中存在氧空位缺陷以及晶体内部有较强的金属-金属键。WO2粉末也就凭借着良好的导电性能，广泛应用于储能设备中。

WS2纳米片，其就是二硫化钨层状材料，其因有极好的半导体效应、较强的电子运输能力、较大的比表面积等特点，而常用来参与新一代锂电池负极材料的制备。与传统的蓄电池相比，含有二硫化钨层状材料的蓄电池拥有更好的电化学性能和更高的安全性，因此更适合为小型的平板电脑提供能量。

作为过渡金属N型半导体材料的代表，纳米氧化钨粉末不仅是新一代储能电极材料的优选添加剂，还是新型半导体储存器的重点储存介质。半导体储存器之所以选用钨氧化物来作为储存介质，是因为该材料具有极为优异的光电效应，且在电场的作用下其电阻值能发生可逆转变。

就新一代的锂电池正极材料来说，其在生产时若能掺杂适量的WS2纳米片来作为改性剂的话，那将能显著提高产品的比能量密度和化学稳定性，使之更适合应用于平板电脑中。