三氧化钨 (WO3) 是一种常见的 n 型半导体。 WO3 具有 2.5-3.6 eV 之间的宽带隙半导体，这使得它被广泛应用于催化、光催化和电致变色系统领域，以生产智能窗、检测 H2S、NOx、NH3 等污染气体的化学传感器，以及监测 H2 气体浓度以避免嵌入式系统中的爆炸。 WO3 具有结构多态性、化学稳定性和良好的生物相容性等优点 六方三氧化钨（h-WO3）具有开放隧道结构，表现出插层化学等良好性能，已用于锂电池、光电器件、和离子交换器。