通过分子束外延生长在蓝宝石衬底上的Zn0.7Mg0.3O/ZnO异质结构场效应晶体管的特性

详细资料: 分类：蓝宝石长晶炉-钨制品新闻; 发布于 2014年1月16日星期四 11:32; 点击数：2419

一个锌Zn0.7Mg0.3O/ZnO异质结场效应晶体管（ HFET ）的鉴定报告。在HFET是基于一个锌0.7镁0.3O/ZnO/Zn0.7Mg0.3O单量子阱（SQW ）通过分子束外延生长a面蓝宝石基板上，而制作用常规的光刻技术结合干蚀刻。该HFET的室温特性是一个N沟道耗尽型0.70mS/mm的跨导和140cm2/Vs的场效应迁移率，与在130cm2/Vs的SQW电子霍尔迁移率一致。的开/关比在VDS = 3V为〜800 ，这是由一个没有充分地抑制泄漏电流流过底部Zn0.7Mg0.3O屏障的限制。

描述了最近的实验努力生产蓝宝石上，除去从蓝宝石基板这样的层，并且如此获得的自支撑氮化镓系材料的性能的高品质厚（为300μm ）的氮化镓层。生长过程中的一些细节在此工作中使用的立式反应器的几何描述。像位错，微裂纹和凹陷生长过程中产生的缺陷进行了讨论，同时程序，以尽量减少对生长表面的浓度。激光剥离技术被证明是一种可行的技术，尤其是如果可以用强大的激光具有大斑点尺寸。与自由站立材料的一个主要问题就是这样一个晶圆通常大鞠躬，由于建在靠近前氮化镓蓝宝石界面缺陷的浓度。这个弓形通常会导致相当大的宽度的自由站立的材料的XRD摇摆曲线的，而光学数据证实几乎菌株的优良品质的免费材料在顶面。

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