电磁炮导轨采用钨铜材料制成，其利用强电流产生的磁场中的洛伦兹力对金属炮弹进行加速，从而将弹药高速发射出去。与传统的火药推动的大炮，电磁炮可大大提高弹丸的速度和射程。以下是几种常见的电磁炮：
1.线圈炮：又称交流同轴线圈炮。它是电磁炮的最早形式，由加速线圈和弹丸线圈构成。根据通电线圈之间磁场的相互作用原理而工作的；
2.轨道炮：它由两条平行的长直导轨（钨铜）组成，导轨间放置一质量较小的滑块作为弹丸。当两轨接入电源时，强大的电流从一导轨流入，经滑块从另一导轨流回时，在两导轨平面间产生强磁场，通电流的滑块在安培力的作用下，弹丸会以很大的速度（理论上可以到达亚光速)射出，这就是轨道炮的发射原理，轨道炮是电磁炮最常见的式样；
3.电热炮：原理不同于线圈炮和轨道炮，其采用一般的炮管，管内设置有接到等离子体燃烧器上的电极，燃烧器安装在炮后膛的末端。当等离子体燃烧器两极间加上高压时，会产生一道电弧，使放在两极间的等离子体生成材料（如聚乙烯）蒸发。蒸发后的材料变成过热的高压等离子体，从而使弹丸加速；
4.重接炮：是一种多级加速的无接触电磁发射装置，没有炮管，但要求弹丸在进入重接炮之前应有一定的初速度，是电磁炮的最新发展形式。

电磁炮利用电磁力所作的功作为发射能量，不会产生强大的冲击波和弥漫的烟雾，因而具有良好的隐蔽性．电磁炮可根据目标的性质和距离，调节、选择适当的能量来调整弹丸的射程；
弹丸体积小，重量轻，使其在飞行时的空气阻力很小，因而电磁炮的发射稳定性好，初速度高，射程远．由于电磁炮的发射过程全部由计算机控制，弹头又装有激光制导或其他制导装置，所以具有很高的射击精度。
省去火炮的药筒和发射装置，故而重量轻、体积小、结构简单、运输以及后勤保障等方面更为安全可靠和方便。

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钨铜棒耐磨性又称耐摩耗性或耐久性，是指在规定条件下，钨铜棒材抵抗磨损的性能以磨损率或磨损度的倒数表示。即耐磨性=dt/dV或dL/dV。钨铜棒使用一段时间后发生磨损的现象是不可避免的，造成这一现象的原因有很多方面，其主要的磨损形式包括磨粒磨损，粘着磨损（胶合），疲劳磨损（点蚀），腐蚀磨损。

磨粒磨损：由外界硬质颗粒或硬表面的微峰在摩擦副对偶表面相对运动过程中引起；
粘着磨损：又称咬合磨损，它是指滑动摩擦时摩擦副接触面局部发生金属粘着，在随后相对滑动中粘着处被破坏，有金属屑粒从零件表面被拉拽或零件表面被擦伤的一种磨损形式；
疲劳磨损：摩擦副两对偶表面作滚动或滚滑复合运动时，由于交变接触应力的作用，使表面材料疲劳断裂而形成点蚀或剥落的现象，称为表面疲劳磨损（或接触疲劳磨损）；
腐蚀磨损：指摩擦副对偶表面在相对滑动过程中，表面材料与周围介质发生化学或电化学反应，并伴随机械作用而引起的材料损失现象。

在不同磨耗机理条件下，为提高耐磨性对钨铜材料性能亦有不同要求。由于摩擦材料和试验条件各不相同，可用磨耗指数表示或由用磨耗试验机在规定条件下进行试验所测得的材料减量（g/cm2），或其倒数表示，耐磨性是摩擦磨损试验中的一个测量参量。涂料工业中指涂层对摩擦机械作用的抵抗能力。实际上是涂层的硬度、附着力和内聚力综合效应的体现。在条件相同的情况下，涂层耐磨性优于金属材料，因其有黏弹性效应，可把能量缓冲、吸收和释放掉。通常用涂膜耐磨仪测定耐磨性。在一定的负载下，涂膜用橡胶砂轮经规定的转数打磨后，求得涂膜的失重量，以克表示。

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军用钨铜封装外壳，也被称为电子封装外壳，是承载半导体芯片、元件以及两者集成的器件包封体，是连接芯片和系统重要桥梁。其起到了为芯片提供机械支撑、电、热通路以及环境保护的作用。另外，封装外壳也直接影响着器件的电、热、光以及力学性能。军用电子器件封装外壳的主要材料包括陶瓷外壳、金属外壳以及金属陶瓷外壳。

陶瓷外壳：中小规模集成电路封装（陶瓷双列直插外壳，陶瓷扁平外壳，陶瓷针栅阵列），大、超大规模集成电路封装（无引线片式载体，有引线片式载体，陶瓷四边引线扁平外壳，陶瓷焊球栅阵列外壳，高气密异型封装外壳），分立元器件封装（表面安装型，插装型），混合电路封装（表面安装型，插装型），MEMS器件封装，多层陶瓷基板（MCM-C多层陶瓷基板，微组装基板）；
金属外壳：光电器件封装（带光窗型、带透镜型、带光纤型），分立器件封装（A型、B型、C型），混合电路封装（平板型，腔体直插型，扁平型），特殊元件封装（矩阵型，多层多腔型，无磁材料型）；
金属陶瓷外壳：分立器件封装（同轴型，带线型，表贴型），微波MMIC封装器件（载体，陶瓷，金属），混合电路封装，光电器件封装（蝶型，专用结构）。

随着军事电子装备趋向多功能、高性能、小型化发展，拒用钨铜封装外壳也不断向着高频、大功率方向进行改进，综合性能得到了大幅度的提高。为了适应微波毫米波器件和组件的发展需要，开发了低温共烧多层陶瓷外壳技术；为了适应高功率器件和电路的发展需要，开发了高导热氮化铝陶瓷封装外壳技术和高导热铝碳化硅金属封装外壳技术；为了适应高密度电路和组件发展需要，开发了细节距四边有引线扁平封装外壳技术、高密度球栅阵列封装外壳技术和三维立体封装外壳技术；为了适应高集成电路和小型模块的发展需要，开发了多芯模块封装外壳和多芯封装外壳与系统封装外壳等。

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纳米钨探针是采用钨丝制备，制备方法有很多种，如：机械剪切法、机械研磨法、场蒸发方法、离子轰击方法、电火花加工、电化学腐蚀法等。最常用的制备钨材质探针的方法是电化学腐蚀法，该方法制备原理简单，且制备设备简单、容易实现，可控性较好，成本较低，因此被广泛应用。电化学腐蚀法又可分为：交直流共用法、磁场增强法、液膜法、逆向电化学法、下端腐蚀法和脉冲电化学加工法等。以上方法都是通过改变溶液浓度、浸入深度、腐蚀电压和脉冲电压的占空比等因素来控制探针的形状和长-径比。但是在腐蚀过程中，钨丝是静止的，制备出探针轮廓线为指数型，长-径比的可调范围较小。

新型的纳米钨探针制备方法是在腐蚀过程中利用单片机步进马达轴向位移系统对钨丝进行匀速提起，并通过控制电化学腐蚀过程的参数来制备纳米金属探针，可以制备出不同长-径比的钨纳米探针，其尖端曲率半径可达30nm，能够满足不同的应用需要，其制备过程如下所示：

1.对金属钨丝的表面进行电腐蚀，去除表面的氧化层，然后对其进行清洗。即将钨丝（纯度99. 99%，如直径O. 5mm)作为阳极，铜棒作为阴极，置于NaOH水溶液（2mol/L)中，浸入深度分别为阳极2. 5mm-9mm,阴极40mm，通以IOV的交流电，腐蚀30-100S，去除钨丝表面的氧化层，然后利用去离子水清洗干净。

2清洗后的钨丝为阳极，铜棒为阴极，置于腐蚀溶液中（例如2mol/L的氢氧化钠水溶液)中，接通电源使其开始腐蚀，同时利用单片机步进马达轴向位移系统将钨丝进行提起，并始终保持部分钨丝位于溶液中，停止提起后继续静止腐蚀直至钨丝尖端脱落，制得纳米钨探针。

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