多晶掺钨氧化锡透明导电氧化物薄膜

本发明属于透明导电薄膜技术领域，具体为介绍一种掺钨二氧化锡（ＳｎＯ2：Ｗ）多晶掺钨氧化锡透明导电氧化物薄膜。其特征在于：

本发明以二氧化锡和金属钨粉末经研磨混合、压片、烧结获得的块体材料为靶材；在温度为室温的石英玻璃衬底上利用脉冲等离子体沉积（ＰＰＤ）技术，在适当的靶材成分、沉积压强、脉冲电流、脉冲电压以及后热处理技术下制备获得具有多晶结构的ＳｎＯ2：Ｗ薄膜。

所制备的薄膜具有低电阻率、高载流子迁移率、可见光范围（４００－７００ｎｍ）高透射率、以及近红外范围（７００－２５００ｎｍ）高透射率等优良的光学和电学特性。本发明方法获得的薄膜在平板显示、光电传感器、特别是近红外传感器以及太阳能电池等领域具有良好的应用前景。

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