对可见光响应的含钨半导体光催化材料的制备方法

本发明提供一种对可见光响应的含钨半导体光催化材料的制备方法。步骤如下：

1）原料的选取：按含M的化合物、含Fe的化合物、含bA的化合物、含钨的化合物中的M、Fe、Ba、钨的摩尔比＝1∶1∶1∶1的比例，选取含M的化合物、含Fe的化合物、含Ba的化合物、含钨的化合物，备用；

注：

所述的含M的化合物为含M的氧化物、含M的氢氧化物、含M的卤化物、含M的碳酸盐、含M的硝酸盐、含M的硫酸盐或含M的乙酸盐，其中M为Li、Na、K、Rb或Cs；所述的含Fe的化合物为含Fe的氧化物、含Fe的氢氧化物、含Fe的卤化物、含Fe的碳酸盐、含Fe的硝酸盐或含Fe的硫酸盐；所述的含Ba的化合物为含Ba的氧化物、含Ba的氢氧化物、含Ba的卤化物、含Ba的碳酸盐或含Ba的硝酸盐；所述的含钨的化合物为含钨的氧化物、含钨的氢氧化物、含钨的卤化物、含钨的碳酸盐、含钨的硝酸盐、含钨的硫酸盐或含钨的钨酸盐；

2）将含M的化合物、含Fe的化合物、含Ba的化合物和含钨的化合物放入研钵中混合并研磨成微米级别粉末，装入坩埚中，然后放入马弗炉中缓慢升温到500℃并恒温预烧1~24小时，升温速率为1~50℃/分钟，冷却后取出；

3）然后再次研磨，粉末粒径控制在微米级别，将磨细后的粉末放入马弗炉中，再在马弗炉中升温到900~1200℃恒温1~48小时，升温速率为1~50℃/分钟，自然冷却至室温后取出研磨，得到对可见光响应的含钨半导体光催化材料。

本发明提供的对可见光响应的含钨半导体光催化材料的制备方法成本低廉、在可见光照射下有很好的吸收，该方法简单易行。

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