二碲化钼纳米线的生产

二碲化钼（MoTe2）是一种典型的过渡金属硫族化合物，是一种新型的二维层状半导体材料，具有较高的机械稳定性、独特的电子和光电特性，因而适合作为超级电容器的电极材料。MoTe2的生产方法有物理方法和化学方法，如机械剥离法和化学气相沉积法等，其中化学气相沉积法是目前公认的最有前景的MoTe2制备方法，但是合成一维结构的二碲化钼纳米线仍存在较大困难。

专利号为CN109336069A的研究者提供一种工艺简单且原料容易获得的MoTe2纳米线生产方法，即以二氧化硅/硅片为衬底，钼粉和碲粉为原料，在二氧化硅面采用化学气相沉积法进行二碲化钼纳米线的生长。

在实操过程中的注意事项有：1）两个二氧化硅/硅片衬底的二氧化硅面相对叠放，在叠放层间夹放钼粉和碲粉，钼粉和碲粉的摩尔比为1:1～20，总质量为1mg～4mg；2）MoTe2纳米线的生长容器为石英管，石英管内通入氩气（流量为100sccm）和氢气（流量为5～30sccm）的混合气体；3）在石英管内设置石英试管，石英试管的封口端与混合气体流动方向相对，在管式气氛炉中加热进行 MoTe2纳米线的化学气相沉积；4）化学气相沉积的反应温度为600～800℃。

利用该方法生产的二碲化钼纳米线的尺寸较为均一和面积较大，生产成本较为合理，能有效解决机械剥离法的不足。研究表明，二碲化钼的原子层之间的范德瓦尔斯力较大，不适合用机械剥离法进行生产大面积的单层MoTe2薄膜。

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