二硫化钨纳米材料常见形式：纳米片

纳米片是二硫化钨纳米材料最常见的形式，主要的可控合成策略可以分为两类：自上而下和自下而上法。自上而下法可以以较低的成本生产少量或单层的样品，这对基础研究非常有利。在自上而下法中，通过Scotch胶带进行机械剥离是最简单的方法，通过Scotch胶带剥离的WS₂只有几层或单层。

然而，大规模生产具有极大的挑战性，产量也非常有限。此外，WS₂可以在液相中剥离，这需要超声波或离子插层的辅助：超声处理通常会导致具有几百纳米大尺寸的晶体片。因此，一个更可行的方法是使用离子插层到WS₂原子层中来分离片状物。

对于上述产量和尺寸的限制，报道了几种自下而上策略的技术，从WS₂的成分元素中盯住，在一个给定的基底上可控地制造纳米片。大多数建议的工艺是利用蒸气形式的前体，并通过载气在基底上传输选定的物种。

化学气相沉积（CVD）是一种广泛用于制备WS2纳米片的技术，它一般使用WO₃作为W源，使用S粉或H2S作为S源。例如，Hu等人通过传统的低压CVD方法在SiO2/Si衬底上制备WS2，并提出了相应的生长机制。

此外，原子层沉积（ALD）是一种改良的CVD技术，其中两种前驱体在生长室中分别设置，其主要优点是通过改变ALD的循环次数来实现WS2的厚度可控。ALD仍然没有广泛地应用于制造WS2纳米片，主要是由于缺乏合适的ALD化学反应。

由于平面纳米S-W-S片的不稳定性，在层的边缘有大量的悬空键，通过特定的制备方法形成了IF-WS₂和NT-WS₂等封闭结构。生产IF-WS₂纳米颗粒和NT-WS₂的制备方法大致分为两组：（1）远离平衡的过程，如电弧放电、电子束辐照和激光烧蚀；（2）接近平衡的化学方法，如化学气固反应。

文章来源：Sun, CB., Zhong, YW., Fu, WJ. et al. 二硫化钨纳米材料用于能源转换和储存。Tungsten 2，109-133（2020）。

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