三氧化钨 (WO3) 是一种 N 型半导体材料，已被广泛研究用于传感器、电致变色、光催化剂和能量存储设备。已采用简单且低成本的微波辅助方法来制备复合材料。

 

最近，科学家采用微波辅助法制备了氧化钨/氧化钒纳米棒材料（WO3/V2O5）并可作为电化学超级电容器，其最大电容为386F/g，电容保持率为104%，库伦效率为99%。WO3/V2O5纳米复合材料的制备如下：

 

 

首先，制备 0.1 M NH4VO3 溶液和 0.1 M NH4WO4 溶液，并在不断搅拌下逐滴加入 HNO3 溶液，将 pH 调节至～2。一段时间后，缓慢加入2wt%、4wt%和6wt%的NH4WO4溶液和0.1M的NH4VO3前体溶液，制备WO3/V2O5纳米复合材料。将充分混合的溶液搅拌一小时并进行微波照射10分钟。之后，让微波照射的溶液静置以形成澄清的沉淀物。收集的沉淀用乙醇洗涤数次以溶解残留物并在热板上干燥。干燥后的粉末在马弗炉中以 200 °C 加热 4 小时。最终产品标记为 (a) 纯 V2O5 和 (b) 2 wt%、(c) 4 wt% 和 (d) 6 wt% WO3 负载的 V2O5 样品。

 

 

总之，通过简单、低成本的微波辅助方法成功制备了氧化钨/氧化钒（WO3/V2O5）纳米棒材料作为电化学超级电容器。表面和形态图像分析显示棒状形态。通过BET分析法分析表面积(22.798 m2/g)、孔体积(0.137 cc/g)和粒度(18 nm)。纯 V2O5 纳米结构在 1M H2SO4 电解液中的最大比电容为 150F/g，而具有不同重量百分比 WO3 的 V2O5 纳米复合材料分别增强到 260、265 和 386F/g。长循环测试表明，5000次循环后，电容保持率为104%，库仑效率为99%。