二硫化钨纳米材料的电子特性和HER机理

具有不同形态的WS2样品的形成过程示意图

由于二硫化钨纳米材料在能量转换和存储领域具有广阔的应用前景,人们致力于研究和改善其WS2的电子特性和HER机理,如载流子浓度(p)、迁移率(μ)和电阻率(ρ)。根据理论预测,在半导体TMDCs中,由于有效质量降低,WS2具有最高的电子迁移率。

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二硫化钨纳米材料的光吸收和光催化特性

主要液体剥离和ALD机制的描述图片

相较于半导电体材料,二硫化钨纳米材料表现出更高的光吸收率,光催化特性是其另一个重要特性。对于半导体材料,光吸收特性是非常重要的,特别是对于光催化。当WS2吸收光子时,会发生带内、带外和杂质缺陷之间的转换,这可以形成特定的吸收光谱。块状WS2的特征吸收峰在910纳米的波长附近,位于近红外(NIR)区域。通过形成纳米结构,可以发现WS2特征吸收峰的蓝移(blue shift)。

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二硫化钨和二硒化钨的晶体结构

二维二硒化钨的重复单元格的俯视和侧视图片

一篇由Schutte等发表在Journal of Solid State Chemistry的文章阐述了二硫化钨(WS2)和二硒化钨(WSe2)具有与二硫化钼(MoS2)同种类型的层状晶体结构。除了常见的WS2的六边形2H形式外,还有一种斜方体形式,即3R-WS2,也曾被报道过,它与MoS2的斜方体形式同型。

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二硫化钨纳米材料在能源转换和储存的应用

相对于真空度图像的绝对带状位置图片

由于全球人口的快速增长和社会经济的快速发展,能源和环境问题受到广泛关注。作为一种过渡金属二硫化物,二硫化钨纳米材料在能源转换和储存领域取得了重要的研究进展。鉴于这些材料的多功能性和丰富的微观结构,二硫化钨(WS2)纳米材料的可塑性和可控合成广受研究人员的关注。

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二硫化钨的晶体结构

在WS2-CdS催化剂上进行光催化制氢的反应机制图片

二硫化钨(WS2)晶体结构属于P63/mmc空间群,通过X射线衍射测量的晶格参数为a = 0.31532 nm和c = 1.2323 nm。作为二维层状过渡金属二氯化物(TMDC)材料的典型代表,其结构由0.6-0.7纳米厚的X-M-X夹层(M为过渡金属;X=S、Se、Te)组成,WS2拥有类似的夹层结构,每个夹层板由三个原子层组成(中间一层是W原子层;上下两层都是S原子层),形成S-W-S结构。

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