什么是钨合金的屏蔽性能?

钨合金屏蔽罐图片

作为难熔金属钨的一种具有代表性的下游产品,高比重钨合金除了具有无放射性、高密度、高强度、大硬度和良好化学稳定性的特点之外,还有优异的屏蔽性能,广泛应用在准直器、注射器、屏蔽盾、屏蔽漏斗、屏蔽罐、屏蔽毯、探伤仪、多叶光栅等屏蔽产品中。

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钨合金的力学性能有哪些?

中钨在线钨合金图片

钨合金的力学性能是指合金材料在不同环境(如温度、介质、湿度)下,承受各种外加载荷(如拉伸、压缩、弯曲、扭转、冲击、交变应力等)时所表现出的力学特征,是确定各种工程设计参数的主要依据,主要包括硬度,脆性,塑性,韧性,抗拉强度,屈服强度,弹性,延展性,刚性等。

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高催化性能氮化钨的生产

氮化钨图片

氮化钨(Tungsten nitride)是一种新型的催化材料,在加氢脱硫、加氢脱氮中有着比硫化物催化剂更加优越的催化性能,不仅可以避免因工业催化剂预硫化而带来的硫污染问题,还对杂原子环的氢解有很高的选择性,能显著降低氢耗。然而,现有的氮化钨生产方法却存在制备时间长、生产成本高的不足。

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磷化钨的生产

WP三棱柱结构(图源:Chemical Book)

磷化钨(WP)是一种弱耦合BCS超导体材料,是一种典型的过渡金属磷化物,具有较高的硬度、良好的催化性能和金属传输特性,广泛应用于催化和电子设备等领域。然而,钨的熔点(3400℃左右)较高,及红磷的熔点低(590℃)且易挥发,所以导致常规手段(如程序升温还原法,共浸渍法,氢等离子体还原法,混合法,磷化法等)很难合成纯相的WP。

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钨合金导电性的影响因素

中钨在线钨合金图片

钨合金导电性(tungstenalloyelectricconductivity)是指材料传导电流的能力,可以用电阻率(ρ)或电导率(σ)来表示,影响因素包括化学成分、原料配比、材料表面的氧化程度、工作温度等。

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