光遮蔽体材料用六方相三氧化钨

六方相三氧化钨（h-WO3）常被用于制备隔热膜和隔热涂料等新型环保光遮蔽体材料。当然，研究者也对金属离子掺杂六方相三氧化钨（MxWO3）的透明隔热性能进行了大量的实验研究。其中，为方便比较和分析空位掺杂对纯h-WO3能带结构的影响，先计算了纯h-WO3的能带结构。

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光遮蔽体材料用六方相三氧化钨的能带结构

从能带结构计算结果可知，纯h-WO3带隙较大，导带底和价带顶分别位于Brillouin区高对称点和点A处，为间接带隙半导体。其间接带隙计算值为0.62eV，经剪刀算符2.0eV修剪后间接带隙值为2.62eV。

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