高性能的薄膜倒装芯片的InGaN型氮化镓发光二极管

数据上的薄膜倒装芯片的InGaN操作呈现/氮化镓多量子阱发光二极管（LED ） 。薄膜LED概念与倒装芯片技术的组合示出，以提供表面光亮度和光通量输出优于常规倒装芯片和垂直注入的薄膜发光二极管。的蓝色，白色和绿色的薄膜倒装芯片的性能特性1 × 1平方毫米LED被描述。蓝色（ 〜 441 nm）的薄膜倒装芯片LED的表现与191 mW/mm2 SR四射为1 A驱动器，比传统的倒装芯片LED更亮的两倍多。封装的薄膜倒装芯片蓝色LED灯显示有38％的外部量子效率为350 mA的正向电流。白色灯根据YAG ：铈的荧光粉涂层器件具有60流明/瓦的发光效率在350 mA时为96流明/瓦，在20 mA的峰值效率为38 Mcd/m2为1 A的驱动电流的亮度，37 Mcd/m2在1 A.绿色（ 〜 517 nm）的器件具有亮度。

在高品质的2.0微米氮化镓外延层，生长在蓝宝石衬底上测量偏振拉曼光谱。在氮化镓所有对称性允许的光学声子已分配如下所示：A1 （LO） 735 -1; A1 （TO） 533 -1; E1 （LO） 743 -1; E1 （TO） ， 561 -1; E2， 144和569厘米-1 。使用Lyddane - 萨克斯 - 泰勒的关系，甘为普通和特殊方向上的静态介电常数已垂直于0 = 9.28估计的ε和E /子/ / 0 / = 10.1 ，还观察到准LO声子的氮化镓。


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