提高生长在湿蚀刻图案化蓝宝石衬底氮化镓基LED的输出功率

基于氮化镓的发光二极管（LED）与450纳米的发射波长生长在图案化蓝宝石衬底（PSS中）通过化学湿蚀刻制成。该晶体蚀刻刻面是R面与C-轴具有用于提高光提取效率优异的能力。 PSS的LED的光输出功率比以往的在20毫安的注入电流LED的高1.15倍。输出功率和外量子效率估计分别为9毫瓦和16.4 ％。改善是由于不仅对于晶体蚀刻刻面，有效地散射受引导的光找到逃逸锥体，而且还通过采用PSS增长计划，以降低位错密度的几何形状。

氮化镓（纤锌矿结构）的晶格常数进行了测量在温度294-753 K的测定是通过使用X-射线衍射法进行。两种样品分别采用： （1）体积单晶在15千巴压力生长，（2）生长在蓝宝石衬底上的外延层。后者由约0.03 ％有在平行于界面平面的方向上的晶格常数更小。这种差异引起的蓝宝石相对于氮化镓层更高的热膨胀。但是，这种热应变的创建主要是在温度低于500-600 K.高于这些温度在平行方向上的晶格失配减少到零在约800 K的温度。


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