对于在生长在蓝宝石衬底上的氮化镓层可以极大地减少位错密度的新方法

报道一种新的方法，以减少金属有机物化学气相沉积（MOCVD）生长在蓝宝石衬底上的氮化镓薄膜的位错密度。在这个新方法中，甲硅烷和氨气气体被同时在低温下具有一定时间的初始低温氮化镓缓冲层的生长之前引入。通过透射电子显微镜（TEM） ，穿透位错从低温缓冲层和高温氮化镓层之间的界面处发起的密度降低到几乎看不见的由7× 108/cm²在传统的MOCVD生长技术进行氮化镓膜。原子力显微镜显示，导入的甲硅烷和氨气气体在低温下改变表面形态，这可能提高了横向生长后减小的位错密度。可用于制造长寿命的氮化镓系激光器代替的外延横向过生长这种方法。

在氮化镓氢化物气相外延（HVPE）中生长，溅射的氧化锌层已经被发现是由于这一事实氧化锌的物理性质几乎类似于与氮化镓的最佳缓冲层中的一个。与氧化锌缓冲层，通过HVPE生长氮化镓单晶的可重复性有了很大的提高。用这种方法生长的氮化镓薄膜显示出优异的结晶性，电气和光学特性。特别是1920平方厘米​​V-1的霍尔迁移率S-1，在120K是曾经被报道通过HVPE的最高值。


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