电子迁移率超过104平方厘米/VS中的AlGaN-GaN异质结生长在蓝宝石衬底上

高品质的AlGaN/GaN掺杂的单异质结（SH）具有不同铝含量已生长在蓝宝石衬底上。的磁输运调查对这些样品进行的在低温下。舒勃尼科夫德哈斯振荡在下面3T和整数量子霍尔效应的磁场的观察，确认在的AlGaN / GaN界面的二维电子气（2DEG ）的存在。该铝0.18镓0.82N/GaN SH显示10300平方厘米​​/ V S霍尔迁移率在6.19 × 1012/cm²在1.5 K。测量到我们所知承载层的密度，这是最高的载流子迁移过在蓝宝石衬底上生长氮化镓基半导体计量。迁移率和载流子密度的片材的Al的组分依赖性进行了研究。基于压电场效果， 2DEG面密度的Al的组分依赖性进行了计算，这与实验结果吻合很好。负磁阻与在低磁场抛物面磁场的依赖性，也观察到在样品中具有最高的2DEG薄层密度。

高光提取效率表现在倒装芯片发光二极管（ FCLED ）与有纹理的蓝宝石衬底。使用干法蚀刻工艺，以提高光提取效率的蓝宝石衬底的底侧形成图案。光输出功率的测量表明，在活性层发出的光子的散射造成的增加从FCLED逃逸的概率的纹理化蓝宝石基板大大增强。该FCLED的光输出功率为0.4毫米深FCLED为13毫米的网型纹理在蓝宝石基板的底侧的周期性距离增加了40.2 ％。


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