蓝宝石衬底预处理和初期生长：对策略在蓝宝石分子束外延高质量III族氮化物生长

详细资料: 分类：蓝宝石长晶炉-钨制品新闻; 发布于 2013年12月23日星期一 11:21; 点击数：2658

蓝宝石基板退火在1200℃在N2：O2（3：1）开发平台和步形态，理想的III族氮化物生长的分子束外延。在蓝宝石基板上，使用Ga的前生长沉积和解吸的就地处理，被证明是阴性的GaN生长。氮化转化的蓝宝石衬底表面到类似的AlN（失配<2.5％）的横向结构。氮化后的表面的晶格参数不依赖于衬底的温度。 AlN成核层生长条件进行了优化，氮化镓生长。理想的Al / N光通量之比被发现是0.6为9纳米厚的成核层。

氧化锌纳米线制备了在Au涂层蓝宝石衬底上通过使用脉冲Nd：YAG激光的ZnO靶在炉中。氧化锌纳米线具有各种尺寸和形状与炉内不同的衬底的位置。的长度和这些氧化锌纳米线的直径为约3-4微米和120-200纳米，分别用扫描电子显微镜（SEM）证实。纳米线的直径控制是通过改变基片的位置来实现。观察到在室温下的纳米线从近带边发射（NBE）紫外发射。的形成机理和对ZnO纳米线的结构和光学特性的基板不同位置的效果进行了讨论。

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