AlN的观点高速外延生长的MATHML源通过氢化物气相外延

蓝宝石氮化铝（ALN）外延层基片生长于高温度高于查看MATHML源通过氢化物气相外延（HVPE）。一种高温生长系统通过结合传统的热壁型炉内，加热基座具有集成加热元件构建的。该系统通过HVPE上面查看MATHML源即使在石英反应器实现了AlN的增长。 AlN的增长率保持不变在查看MATHML源的温度范围内。这一结果与热力学分析预期的结果相一致，并表示AlN的通过HVPE生长已受到大众运输有限过程，即使在高温下。 AlN的美景增长率外延生长的MATHML来源是在查看MATHML源实现的。

CW氩激光照射（锂）下退火行为已经被研究了0.2-0.5-μm厚的硅 - 蓝宝石（SOS）外延片。分析由兆电子伏赫+窜表明李在固相下，Si-植入薄膜，它有一个埋非晶层beneth≈30后表面的晶系，成为结晶性，但更缺陷比原来的化学汽相淀积（CVD）电影。相反，类似的层的炉退火显著降低表面晶体以下缺陷浓度，相比于CVD SOS的缺陷水平。在液相CVD或Si-植入SOS李降低了缺陷浓度在整个膜的厚度，但再生长膜是横向不均匀，并具有高的铝含量。


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